Aviza Technology宣佈與茂矽電子簽訂共同開發計劃(JDP)。部分合作案內容為，Aviza和茂矽電子將共同開發應用在下一代快閃記憶體的原子層沉積層(ALD)材料。

根據合作協議的內容，Aviza將會提供開發先進原子層沉積材料必要的硬體設備，以及創新的製程專才，而茂矽電子將會提供元件設計，及製程整合技術以開發符合茂矽技術和製造需求的原子層沉積層薄膜。這項計劃將使用到Aviza經量產驗證的Celsior fxP單晶圓原子層沉積(ALD)系統以開發這些薄膜。

「茂矽電子非常高興和Aviza共同合作以開發值得下一代快閃記憶體元件量產的原子層沉積層薄膜」茂矽電子執行副總，Len Mei博士說：「Aviza已經證明其在原子層沉積層方面的製程和技術能力，而且我們期待和Aviza在先進薄膜方面的開發合作。」

茂矽電子引領的快閃記憶體技術研究和發展將焦點放在產生更高密度，更低營運成本及更快讀寫速度的快閃記憶體元件—全部都位於最尖端消費性電子元件所需求的較小元件面積上。為了達到這些目標，早期原子層沉積層薄膜材料的開發在降低元件設計尺寸到58奈米及更小時，要符合這些薄膜特性的需求對於確保可製造性是非常關鍵的。正在研發中的先進薄膜將會以他們的物理特性，電子特性，以及他們能成功被整合到先進快閃記憶體製造過程的程度來篩選。

Aviza將會在今年的SEMICON Taiwan展出，歡迎至攤位282參觀。