Intel（英特爾）宣佈與美光（Micron）合資的新加坡新廠中，將在2008年將以先進的35奈米製程技術，生產NAND型快閃記憶體（Flash）產品，而透過35奈米製程技術，英特爾將可大幅增加其成本競爭力；此外，隨著Santa Rosa平台的問世，Robson技術將結合NAND型Flash作為儲存的媒介，提高硬碟讀寫速度，且在手機記憶體當中，NAND型Flash也將扮演要角。

根據報導指出，英特爾進入NAND型Flash領域較晚，且近1年來NAND型Flash價格下跌的壓力相當大，因此英特爾將以最先進的微小化技術，藉此降低生產成本，目前的NAND型Flash製程為72奈米製程，50奈米製程將在2007年下半量產，而英特爾也將領先同業，於2008年在新加坡新廠中，導入35奈米製程技術。

據了解，以35奈米製程技術來量產NAND型Flash是絕對可行的，NAND型Flash可透過每個Cell儲存較多Bit來增加每個晶片的儲存量，35奈米製程應可達到每個Cell記憶4個Bit，此外，英特爾也積極開發下一代的相變化記憶體（PCM）技術。

英特爾在Santa Rosa平台中的Robson技術，將在原有的傳統硬碟中，加設NAND型Flash模組，筆記型電腦（NB）在開機時，不需將資料寫入傳統硬碟，而是將資料記憶在NAND型Flash當中，將可大幅加快開機速度，而由於硬碟的使用次數減少，將為延長壽命且減少耗電量。

類似Robson技術這種結合傳統硬碟和NAND型Flash功能的混合型技術，未來將逐漸成為趨勢，業界一般稱為硬碟的「延壽計畫」；此外，像是純粹使用固態硬碟（SSD），完全取代傳統硬碟，也會是NAND型Flash進入PC市場的終極目標之一。

業界人士表示，英特爾雖然晚進入NAND型Flash市場，但其爆發力絕不忽視，或許在2006、2007年還處於打底階段，2008年之後將逐漸顯現出來，且英特爾以最先進的35奈米製程生產NAND型Flash，將可大幅提昇其成本競爭力，加上屆時NAND型Flash應用在PC領域逐漸成熟，其影響力絕對不容忽視。