台積電與ARM於2006年7月18日共同宣佈，透過二家公司在晶片設計上的共同合作，已完成了65奈米低耗電量（low power）測試晶片的試製，藉由創新的低耗電量設計解決方案，成功大幅地減少晶片的動態功率消耗（dynamic power）及漏電功率消耗（leakage power）。

台積電與ARM公司經過一年的合作，以具備先進電源管理技術的ARM926EJ-STM處理器為基礎，成功產出65奈米低耗電量測試晶片，藉由採用動態電壓及頻率調整（DVFS）技術，此一測試晶片在各種不同操作模式下，耗電量都是最省電的，動態功率消耗較原先晶片設計的降低幅度超過50％以上。同時，除了低耗電量製程所提供降低漏電功耗的優勢外，台積電亦透過先進的power gating技術，可以再進一步大幅降低待機漏電功耗（standby leakage）達8倍之多。

ARM全球消費性電子市場行銷總監大衛．羅斯（David Ross）18日表示，由於手機、數位家電等應用，帶動0.13微米、90奈米授權加溫，ARM相關的ARM9、ARM10授權案，過去一年導入量產的案量激增，估計未來四年ARM CPU核心晶片的出貨量將倍增，2010年時出貨量將達到45億顆。ARM11三年前開始首度向日本手機客戶授權，目前授權案量已經逐漸升高，估計今年佔營收比重將突破5％。不過，今年的營收大宗仍是以0.13微米、90奈米的授權案為主。採用ARM CPU核心的晶片，今年出貨量估計將達到20億顆，過去十二個月由於上述應用導入量產帶動，ARM CPU核心的晶片出貨累計，就已達到18億顆。

Ross指出，今年全球IC設計客戶以0.13微米導入量產的案量最多，其中台灣地區客戶採用0.13微米設計的案量也明顯增加，對90奈米授權的興趣也較以往明顯提升，至於大陸地區的設計能力，將提升至0.18微米為主。

行動產品需要採用更先進的製程技術來提供更好的功能與效能，電源效率（power efficiency）成為半導體業界最大的挑戰。ARM與台積電目前合作包括65奈米及45奈米製程技術，此次成功生產此一測試晶片，並且完全通過功能驗證，除了展現技術合作的成果，亦能夠達成大幅降低漏電及動態功率消耗的目標。台積電藉由與ARM合作測試晶片試製成功，也讓台積電可以提供其它客戶一些創新的解決方案，如Multi-corner timing closure方案，能夠預期由於電壓調整（voltage scaling）所導致的時序影響，分析出對提供不同臨界電壓（threshold voltage）的資料庫單位元件的時序所造成的影響。