台積電宣佈完成0.18微米嵌入式快閃記憶體（embedded flash）的製程認證。據了解，新製程可提供1.8～5伏特的標準化製程、以及超低漏電製程（ultra-low leakage）等優勢，並提供特定汽車產業認證過的嵌入式快閃記憶體IP。

台積電主流技術事業處處長劉信生說，成功完成0.18微米嵌入式快閃記憶體製程，正代表了台積電對類比、功率、汽車電子等晶片市場的重視，並可擴充台積電在相關市場的產品線。根據了解，這種製程只需要用到7層光罩，就可在台積電的Fab3廠中量產投片。

目前台積電已經擁有0.25微米到90奈米的嵌入式快閃記憶體製程完整技術。增加0.18微米的製程技術，主要是因為看好未來類比、功率、汽車電子等晶片代工市場，仍具有非常高的成長空間所致。