帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
ONFI 2.1標準問世 NAND傳輸提升至200MB/s
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2009年02月11日 星期三

瀏覽人次:【1609】

開放式NAND快閃記憶體介面(ONFI)工作小組今日(2/11)發佈了ONFI 2.1版技術規範。ONFI 2.1版本除具備更簡化的快閃記憶體控制器設計,並將傳輸性能提升至每秒166MB/s到200MB/s間。目前ONFI工作組已著手制訂ONFI 3.0版,預計速度將可達400MB/s。

ONFI小組專門致力於簡化NAND快閃記憶體的設計,並制定相關規格,使之與消費電子設備、電腦平台及工業系統充分整合,該小組在2006年成立,成員包含Intel、美光、意法半導體、海力士半導體和Sony等30多家公司。該小組在過去六個月間,與美國電子元件工程聯合委員會(The Joint Electron Device Engineering Councils,JEDEC)進行密切的合作,並已將ONFI 2.1版規範提交給該聯合工作組,未來雙方也將繼續合作。

此新版的標準還特別針對了netbook等低成本消費品的應用需求做了調整,加入了一項新的Small Data Move指令。透過Small Data Move指令的應用,這些低成本記憶體架構將不再受昂貴的偵錯功能所限制。對於改進這些產品的銷售將有決定性的影響。

此外,ONFI 2.1版規範的特色還包含

  • 與ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND介面相容。
  • 新增對交錯讀取的支援,能延展讀取的管道,尤其是在陣列時間可能更長的多層單元(MLC)架構中。
  • 支援NAND設備擴展偵錯碼資訊,同時傳送多組偵錯碼參數。
  • 允許HOST向NAND寫入資料時停止clock,最高可節省數十毫瓦的電量。
  • 新推出的Change Row Address指令。

關鍵字: NAND Flash  ONFI  快閃記憶體 
相關新聞
受惠SSD採購需求強勁 第二季NAND Flash總營收季增1.1%
美光全球首款232層NAND正式出貨 數據傳輸速度快50%
美光率先將176層NAND和1α DRAM技術導入工業和車用市場
消費性電子產品需求低迷 5月NAND Flash Wafer先轉跌
TrendForce:2022第一季整體NAND Flash價格跌幅收斂至8~13%
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» STM32MP25系列MPU加速邊緣AI應用發展 開啟嵌入式智慧新時代
» STM32 MCU產品線再添新成員 STM32H7R/S與STM32U0各擅勝場
» STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵
» 開啟邊緣智能新時代 ST引領AI開發潮流


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BMAH9Y9GSTACUKH
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw