外電消息報導，三星電子（Samsung）於週二（10/23）宣佈，已開發出全球上第一個使用30奈米製程生產的NAND快閃記憶體晶片，能大幅提昇現今快閃記憶體的儲存容量，首款生產的晶片容量為64GB。

據報導，三星在證管會的文件上表示，該款64GB的NAND快閃記憶體晶片可用於128GB的記憶卡上，屆時僅需一張記憶卡便可儲存120小時DVD解析度的影片。

該NAND晶片採用了三星新創的自排列雙成型技術（SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology），透過兩次成型的方式，突破晶圓印刷的瓶頸，達到30奈米的製程。三星表示，此技術將大幅提升在現在技術下的製程極限。

三星表示，這款新型NAND將要到2009年才會開始進行生產，只要用來製作128GB的記憶卡，三星也預測，2009年到2011年間，隨著行動手持設備、數位相機與MP3播放器的成長，這種新晶片將達到200億美元的市場。