為了大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品。

英飛凌位於馬來西亞居林的前端製造基地鳥瞰圖，新廠區落成將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品。

此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該專案奠定良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升地位，強化公司整體的競爭優勢。

英飛凌營運長 Jochen Hanebeck 表示：「創新技術和綠電能源的應用，是降低碳排放的關鍵。再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。英飛凌透過擴大碳化矽和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬能隙半導體市場的快速發展做好準備。我們正在將位於菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬能隙功率半導體生產製造相結合，打造成功的組合。」兩處擁有寬能隙半導體量產能力的工廠將增強供應鏈彈性。

根據Yole發佈2021年第三季度化合物半導體市場監測報告氮化鎵市場顯示預計，碳化矽功率半導體的銷售額將會激增，從2020年的4,700萬美元增至2025年的8.01億美元（年複合增長率：76%）。目前英飛凌已向3,000多個客戶提供基於碳化矽的半導體產品，被廣泛應用於各領域。英飛凌秉承「從產品到系統」的戰略方針，推動了碳化矽半導體在工業電源、光伏、交通運輸、驅動、汽車和電動車充電等核心領域的應用。英飛凌目標至本世紀 20年代中期，碳化矽功率半導體的銷售額將提升至10億美元。

未來幾年，菲拉赫工廠將透過改造現有的矽晶圓製造設備，強化其寬能隙半導體技術全球能力中心和創新基地的角色。透過重新利用非專用的矽晶圓生產設備，將6吋和8吋的矽晶圓生產線轉作為碳化矽和氮化鎵元件的生產線。

英飛凌對居林工廠的新增投資主要用於磊晶製程和晶圓切割等具有高附加值的環節。預估居林新廠區滿負荷運轉之後，將創造900個高價值型就業機會。新廠區將於今年6月開始施工，在 2024 年夏季進行設備安裝。首批晶圓將於2024年下半年開始出貨。