功率晶体管市场技术领导者ST，发布一系列混合式射极开关双极晶体管（EBST），特别适合工业照明应用中之功率因子预调节的工业用三相辅助电源供应器与单端初级电感转换器（SEPIC）等应用。透过结合业界最佳的低前向压降、高阻断电压（blocking voltage）与快速开关速率，新的ESBT系列在高电压、高开关频率应用中展现了突破性的效能。

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新的ESBT系列为电源供应器设计人员解决了选择双极接面晶体管（BJT）或MOSFET的困境；BJT的特性是具有低传导损耗，但开关速度慢；而MOSFET的开关速度快，但传导损耗较高。透过在单一封装中，运用串联结构结合BJT与MOSFET，新组件能保留两种方法的优势，同时消除它们的不利条件，这意味着当开关频率高于130kHz时，其传导损耗能与其他单一BJT组件媲美，同时可实现在硬件（无需减震器）开关条件下操作，由于该组件的串联结构与专用的双极技术可提供方形反向偏压安全操作区域，因此新组件能以极安全方式运作。

新组件的其他优势还包括高达1.7kV的电压能力，能让设计人员工作在更高的反驰电压，因此也具有更高的工作周期。这项特性将让电源供应器能处理更大的功率，或在更宽广的输入电压范围内操作。

新组件现有STC03DE170、STC05DE150与STC08DE150等型号，击穿电压（breakdown voltages）分别为1.7kV、1.5kV与1.5kV，导通电阻分别为0.55、0.17、0.11奥姆。相较之下，标准1,500V功率MOSFET的导通电阻通常为5~9奥姆。三款组件的Vcs（sat）值为0.9V，传导损耗均降至最低，而没有末端电流（tail current）则能最小化关断损耗。因此，新的ESBT系列将能在30W到150W的电源供应器应用中实现更低温、更可靠的应用。