意法半导体（ST）于日前推出9款全新汽车级功率MOSFET，进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品组合，为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。

高能效电气系统对于汽车制造商日益重要。从车窗升降机、雨刷、热风鼓风机，到引擎控制模块、起动发电机、能源恢复系统，这些均由电气系统管理，而混合动力汽车则更需要高效的能源管理系统，以最大幅度地延长汽车可开公里数。

意法半导体表示，新款功率MOSFET能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低，从而提升电气系统的能效；同时还可减少电路産生的热量，实现尺寸更小、更轻的装置设备。全新符合AEC-Q101的30V和40V功率组件系列采用意法半导体的STripFET VI DeepGATE技术，拥有极低的导通损耗（conduction loss）与有效芯片尺寸比。

这两款産品拥有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低导通损耗，采用工业标准DPAK或D2PAK两种表面黏着功率封装，只需用更小的电路板空间。全新功率MOSFETS产品系列包括逻辑准位和标准准位两种型号。

此外，ST爲保证新産品达到汽车应用要求的可靠性和稳健性，根据AEC-Q101标准认证的测试条件，所有组件在晶圆制程和成品阶段均经过100%雪崩测试。除汽车设备以外，新系列産品还并可提高其它应用的电源和驱动器能效。