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ST推出高密度的64Mbit快閃記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉報導】   2002年04月17日 星期三

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ST日前發表全新的高密度標準快閃記憶體晶片-M28W640C,它的結構為4Mb x 16位元,操作電壓為3V。新元件採用0.15微米製程,適用於個人數位助理、數位相機、高解晰度電視與蜂巢式電話等消費性應用。

ST表示,M28W640C與同一系列中,低密度16Mb的M28W160及32Mb的M28W320完全相容。它具有個別區塊鎖定功能,無需等待時間就可對任何區塊做鎖定或解除鎖定,具有瞬間編碼與資料保護功能。每個區塊都可承受多於100,000次的編程/擦除循環,能在2.7V~3.6V的供應電壓範圍中進行讀取、編程與擦除,工作溫度介於-40~85°C之間。

為了加強資料保密,M28W640C內含一個192位元的保護暫存器與保護區塊。這個暫存器分為兩個區塊:其一為內含一個ST開發的64位元編程裝置,以及一個可由用戶進行一次編程的128位元區塊。這個安全區塊的參數為0,可讓用戶施加永久安全的保護。

M28W640C符合公共的快閃記憶體介面標準與JEDEC指令集,還有一種讓系統軟體能識別元件內部的電子與時間參數,以及密度資料的架構。

關鍵字: 義法半導體(ST::半導體多次燒錄唯讀記憶體 
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