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快捷推出新型平面MOSFET
具有最佳性能因數和更高的崩潰能量密度

【CTIMES/SmartAuto 陳厚任報導】   2002年09月20日 星期五

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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)日前推出七種新型高電壓平面MOSFET,具有更低的導通電阻、更低的閘電荷值及更高的崩潰和換向模式能量密度。這些MOSFET是在快捷半導體的韓國工廠設計、開發和製造,專用於滿足先進交換式電源供應器(SMPS)和DC/DC轉換器的性能要求。這些元件的先進條狀結構技術和較小封裝能為功率系統帶來許多益處,如減少功率損耗,提高系統效率和穩定系統品質。

快捷半導體指出,以TO-220封裝500V FQP18N50V2為例,其FOM較主要競爭對手的類似封裝產品低21%以上。此外,快捷的200V FQD18N20V2採用D-PAK封裝,其FOM )比主要競爭對手同級封裝的元件低39%以上。較低的FOM值可使交換式應用發揮最佳性能。

快捷半導體表示,現提供的七種新型產品包括:三種500V元件,適用於交換式電源供應器(SMPS)和功率因數校正(PFC)設備,及四種200V元件,適用於DC/DC轉換器。這些200V元件也適用於交換式和脈衝寬度控制的設備。

關鍵字: 快捷半導體(Fairchild電壓控制器 
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