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ST推出新款低阻抗功率MOSFET
STD150NH02L可降低元件交換損失

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉報導】   2003年11月10日 星期一

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ST日前推出新款N通道MOSFET-STD150NH02L。ST表示,STD150NH02L具有低導通電阻、閘電荷與低熱敏電阻。這些特性讓STD150NH02L適用於大電流的DC/DC轉換器,並支援24V的汲極到源極電壓,以及最大150A的汲極電流。其額定的導通電阻為0.0035歐姆。在10V電壓時,標準導通電阻為0.003歐姆,在5V電壓時為0.005歐姆。這將有助於降低元件內的傳導損失。

ST新款N通道MOSFET-STD150NH02L
ST新款N通道MOSFET-STD150NH02L

ST更進一步指出,該元件的設計同時確保其具有極低的閘電荷(QG)。這些特色均能降低元件交換損失。STD150NH02L是以ST的第三代StripFET技術製造。它採用0.6微米製程,加上ST的金屬處理技術、組裝技術,能夠在標準的DPAK封裝內達到更優良的效能。這些功能特性,都讓STD150NH02L適用於必須處理大量輸出電流的高效能轉換器。

關鍵字: 義法半導體(ST::半導體一般邏輯元件 
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