高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性。

/news/2015/03/10/1041322450S.jpg

800V SuperFET II MOSFET 系列具備高可靠度以及優異的效率及熱能特性，適合許多不同的應用。同時，其廣泛的封裝選項為設計人員帶來極大的彈性，特別適合尺寸有限的設計。此系列的關鍵應用，包括 LED 照明、LED 電視電源及家庭劇院音訊設備、變壓器、伺服器、工業電源與其輔助電源供應器，以及微太陽能逆變器。

Fairchild技術行銷主任工程師 Wonhwa Lee 表示：「使用Fairchild的 800V SuperFET II MOSFET 系列，製造商得以改善產品效率以及可靠度，由於具備優異的切換效能與低電阻，其效率遠勝於最強勁的競爭對手。新系列產品使用了最新的超接面技術，使其具備比以往更為小的體積與更高的效率，而其內建耐高 dv/dt條件的二極體，可提高工業橋接電路的可靠度。」

Fairchild最新的 SuperFET II MOSFET 系列是由 26 項裝置所組成，其通導電阻範圍從 4.3 Ohm 起，最低可至60 mOhm，皆包含在廣泛的標準封裝選項之中，為設計人員帶來更多選擇和彈性，還能針對特定應用，採用理想的裝置。例如：新系列中的關鍵產品 FCD850N80Z 為DPAK封裝且具備極低的 850 mOhm Rdson （最大值），與主要競爭對手相比，其Rdson（最大值）減少6%~11%，且Coss（@400V）減少8%~13%，是以適合需要低電阻且空間有限的LED照明應用。 （編輯部陳復霞整理）