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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案 (2023.04.12)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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貿澤供應英飛凌通用型MOSFET 滿足電源轉換和管理應用 (2022.11.30)
貿澤電子（Mouser Electronics）供應多款英飛凌通用型MOSFET。對於正在尋找MOSFET以求滿足專案、定價或物流要求的設計人員，英飛凌提供廣泛的高電壓和低電壓MOSFET產品組合，能為各種應用提供彈性、價值和調整能力 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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運用RTD打造高EMC效能的精準溫度量測方案 (2021.11.19)
本文將探討精準溫度量測系統的設計考量因素，以及如何提升系統的EMC效能，同時維持量測的精準度。介紹測試結果以及資料分析內容，從概念轉移到原型，以及從概念轉移到市場產品 |
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意法半導體推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2021.08.17)
意法半導體（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品，該產品家族有三個不同的產品系列，皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器（PA）進行優化設計 |
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提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本 |
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超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
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英飛凌TRENCHSTOP IGBT7技術推出TO-247封裝 (2020.09.29)
英飛凌科技繼推出EconoDUAL和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之後，近日再宣布推出基於分立式封裝，崩潰電壓為650V的TO-247封裝版本。
最新的TRENCHSTOP系列產品組合包含20A、30A、40A、50A和75A等級的額定電流，既可用於取代前代技術，也能與前代技術並行使用 |
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PI擴大採用穩健750V GaN電晶體的InnoSwitch3 IC產品範圍 (2020.03.11)
節能型電源轉換領域的高壓積體電路廠商Power Integrations今日宣佈推出更多InnoSwitch3 系列離線CV/CC返馳式切換開關IC品項。全新INN3x78C裝置整合了體積更小的「8號」750V PowiGaN電晶體，能夠讓輕薄且高效的電源供應器輸出27W至55W功率而無需散熱片 |
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新世代的電力電子 將讓電動車更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：歐盟的HiPERFORM將推出寬能隙的電力電子，並運用在下世代的電動車之中。 |
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如何在單電源工業機器人系統中隔離高電壓 (2018.08.31)
在工業自動化應用中，設計人員必須處理多個系統之間電壓不一致的問題，光學、磁性和電容屏障等硬體技術有助於解決類比與數位電流隔離的挑戰。本文介紹合適的工業電壓隔離解決方案及其相關應用 |
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英飛凌CIPOS Mini IPM提高低功率馬達效率 (2018.05.25)
全球能源效率標準通常禁止製造商進口或銷售未符合標準的產品，為了滿足特定的基本要求，必須透過使用最新技術減少能源損耗，英飛凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513產品 |
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貿澤供應NXP MRFX1K80H電晶體 (2017.10.23)
Mouser Electronics（貿澤電子）即日起開始供應NXP Semiconductors 的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻 (RF) MOSFET電晶體產品之一，採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體 (LDMOS) 技術 |
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自我保護型 MOSFET提供高可靠性 (2017.09.18)
汽車業需要具有成本效益與完全可靠的解決方案，但這種潛在的破壞性環境，對現代汽車常見的大量控制功能所需的功率半導體裝置帶來巨大的挑戰。 |
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Littelfuse推出新款80A離散型雙向瞬態抑制二極體 (2017.08.23)
全球電路保護領域企業Littelfuse公司推出SP11xx系列雙向瞬態抑制二極體（SPA二極體）中的最新產品—80A離散型雙向瞬態抑制二極體。SP1103C系列80A離散型雙向瞬態抑制二極體可為電路設計師提供更低的斷態電壓，用於保護低壓電源匯流排免受靜電放電（ESD）的損壞 |
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英飛凌推出適合低/高功率高效率應用的高壓MOSFET (2017.03.31)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon) 擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出 600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能夠以600 V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度 |
