（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）推出全新 CoolMOS C7 超接面（SJ）MOSFET系列。相較於 CoolMOS CP 600 V 系列能減少 50% 的關閉損耗，在 PFC、TTF 和其他硬切換拓樸中發揮媲美氮化鎵級的性能。CoolMOS C7為擴充英飛凌每封裝最低的 RDS（ON） 產品組合，協助客戶進一步提升功率密度。全新 CoolMOS 系列具有超低切換損耗，適合高功率 SMPS 應用，如伺服器、電信、太陽能和工業等需求高效率、降低物料清單（BoM）和整體擁有成本（TCO）的應用。

CoolMOS C7 600 V 產品具有最低損耗並能將頻率提升至高達 200 kHz

CoolMOS C7 由於能降低切換損耗，相當適合注重效率和 TCO 導向的應用，如超大型資料中心和電信基地台。PFC 效率增幅可從 0.3% 提升至 0.7%，LLC 拓樸效率則增加 0.1%，因此能大幅降低整體成本。以 2.5 kW 伺服器 PSU 為例，使用 C7 600 V MOSFET 後可降低 10% 左右的 PSU 能源損耗成本。

在 BoM 和成本導向的設計中 （如企業伺服器），CoolMOS C7 600 V 裝置能降低磁性材料成本。C7 因能有效減少閘電荷和輸出電容，使得切換頻率能增加一倍，損耗達到極低。因此，磁性元件的尺寸可以大幅縮小，進而降低整體 BoM 成本。例如，將切換頻率從 65 kHz 增加至 130 kHz，最多可降低 30% 的磁性元件成本。

CoolMOS C7 600 V 產品系列將於兩座 12吋晶圓廠製造，以確保能安全供貨予客戶。產品系列提供多種 RDS（ON） 值和封裝，產品推出後也會提供創新選項的版本，如 TO-247 4 針腳封裝。第 4 支針腳可將全負載效率提升 0.4%，減少因快速電流瞬變而造成的源極電感壓降。

英飛凌 AC/DC 部門副總裁暨總經理 Peter Wawer 表示：「在英飛凌的高電壓 MOSFET 產品組合中，新款 CoolMOS C7 600V 可說是為預計於 2016 年初推出氮化鎵 （GaN） 裝置奠下基礎。CoolMOS C7 裝置基於已可量產的技術，具有最低損耗並能將頻率提升至高達 200 kHz，而英飛凌氮化鎵技術更將進一步增加頻率範圍，並實現新型拓樸。」

英飛凌同時推出全新 2EDN7524 EiceDRIVER IC，採用業界標準針腳設計，具有兩個獨立未隔離的低側閘極驅動器，各能提供 5 A 電源和峰值電流。兩通道以 5 ns 典型上升和下降時間運作，而優異的 1 ns 通道對通道延遲匹配可以實現同步切換配置，進而將總驅動電流提升一倍。輸出階段的高電流具有相當低的 RDS（ON），即使未使用或使用小型外部閘極電阻，均能有效降低驅動器的功率消耗。驅動器 IC 在控制和 Enable Input 中能夠處理高達 -10 的 VDC，確保系統對抗接地彈跳的優異耐用性和可靠性。

CoolMOS C7 600 V MOSFET 最初將提供 TO-220、TO-247 和 TO-247 4 針腳封裝。預計 2015 年第三季將開始供應 TO-220 FP、DPAK、D2PAK, ThinPAK 封裝和各種 RDS（ON） 值的完整產品組合樣品。DSO-8 封裝 2EDN7524 MOSFET 驅動器預計將於2015 年 8 月開始量產。2015 年第四季則會開始供應其他封裝和功能選項。