東芝公司(Toshiba)宣布研發出運用矽穿孔(TSV)技術的16顆粒(最大)堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit 2015)上展示其原型。
![搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體(Source:Business Wire)](/news/2015/08/07/1100214880S.jpg) |
搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體(Source:Business Wire) |
堆疊式NAND快閃記憶體的先前技術是在封裝內運用打線接合法(wire bonding)連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的穿孔實現連接。該技術支援資料高速輸入和輸出,並降低功耗。
東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O資料速率,高於具有低電源電壓的任何其它NAND快閃記憶體。核心電路1.8V,I/O電路1.2V,寫入操作、讀取操作和I/O資料傳輸的功耗降低約50%*2。
這款全新的NAND快閃記憶體為包括高階企業級SSD在內的快閃記憶體應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS/Watt解決方案。這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織(NEDO)研發。(編輯部陳復霞整理)