東芝公司（Toshiba）宣布研發出運用矽穿孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。

搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體（Source：Business Wire）

堆疊式NAND快閃記憶體的先前技術是在封裝內運用打線接合法（wire bonding）連接在一起。而TSV技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的穿孔實現連接。該技術支援資料高速輸入和輸出，並降低功耗。

東芝TSV技術實現超過1Gbps的I/O資料速率，高於具有低電源電壓的任何其它NAND快閃記憶體。核心電路1.8V，I/O電路1.2V，寫入操作、讀取操作和I/O資料傳輸的功耗降低約50%*2。

這款全新的NAND快閃記憶體為包括高階企業級SSD在內的快閃記憶體應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS/Watt解決方案。這項應用技術部分由日本新能源和工業技術開發組織（NEDO）研發。（編輯部陳復霞整理）