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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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研究：2024年前三季全球晶圓製造設備市場成長3% 記憶體成核心驅動力 (2024.11.26)
根據Counterpoint Research最新數據顯示，2024年前三季全球前五大晶圓製造設備（WFE）廠商的總營收年增3%，其中記憶體市場需求的強勁拉動成為關鍵推手，特別是高頻寬記憶體（HBM）和DRAM的需求大幅提升 |
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美光高速率節能60TB SSD已通過客戶認證 (2024.11.14)
美光科技宣布其6550 ION NVMe SSD已通過客戶驗證。美光 6550 ION SSD 是全球最高速率的 60TB 資料中心 SSD，亦為業界首款 E3.S 及 PCIe Gen5 60TB SSD，這項產品延續 6500 ION SSD 獲獎的成功經驗，提供同級最佳運算、節能、耐久、安全以及機櫃容量表現，適用於超大規模資料中心 |
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宜鼎E1.S固態硬碟因應邊緣伺服器應用 補足邊緣AI市場斷層 (2024.11.13)
隨著AI與5G技術發展大幅提升資料吞吐量、處理需求愈加碎片化，追求高儲存密度、高效能的邊緣運算呈現增長態勢。宜鼎國際 （Innodisk）推出E1.S邊緣伺服器固態硬碟 (SSD)，在散熱與出色效能之間取得最佳化平衡，銜接目前傳統工控SSD與資料中心SSD間的市場斷層缺口 |
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慧榮獲ISO 26262 ASIL B Ready與ASPICE CL2認證 提供車用級安全儲存方案 (2024.11.08)
慧榮科技獲 ISO 26262 ASIL B Ready 與 ASPICE CL2 認證，彰顯其儲存解決方案在汽車安全與軟體開發流程中的高標準與可靠性。隨著電動車與自駕車的逐漸普及，對安全、高效能資料儲存方案的需求比以往更為重要 |
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默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料 |
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2GB、50美元！第五代樹莓派降規降價 (2024.08.30)
自2012年樹莓派（Raspberry Pi, RPi）單板電腦推出以來，就一直有個默契性的官宣價格天花板，但這個天花板在2019年第四代樹莓派（RPi 4）推出後被打破，開始有45美元、55美元官宣價的型款 |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
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慧榮科技於FMS 2024推出高效PCIe Gen5 SSD控制晶片 (2024.08.07)
慧榮科技針對AI PC和遊戲主機設計推出一款PCIe Gen5 NVMe 2.0消費級SSD控制晶片SM2508。SM2508是全球首款採用台積電6奈米EUV製程的PCIe Gen5消費級SSD控制晶片，相較於競爭廠商的12奈米製程，大幅降低功耗50% |
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Microchip能第五代PCIe固態硬碟控制器系列 可管理企業和資料中心工作負載 (2024.08.06)
人工智慧（AI）的蓬勃發展和雲端服務的快速普及正推動對更強大、更高效和更高可靠性的資料中心的需求。為滿足日益增長的市場需求，Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固態硬碟 （SSD） 控制器 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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群聯電子於FMS展示All-in-One aiDAPTIV+方案與PASCARI企業級SSD (2024.08.06)
隨著AI技術和伺服器市場的整合，在2024年8/6~8/8期間舉辦的FMS（the Future of Memory and Storage）展覽，著重於新一代儲存解決方案如何支持AI應用和伺服器性能的提升。群聯電子 (Phison) 專注於NAND控制晶片暨NAND儲存解決方案，這次在FMS展覽展示先進技術，包含最高可達61 |
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AI手機需求增溫 慧榮科技第二季營收超過預期 (2024.08.04)
慧榮科技日前公布2024年第二季財報，營收2億1,067萬美元，與前一季相比成長11%，與前一年同期相比大幅成長50%。SSD控制晶片營收較上一季成長0%~5%，較去年同期成長25%~30% |
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美光宣布量產第九代NAND快閃記憶體技術 (2024.07.31)
美光科技宣布，採用第九代(G9) TLC NAND技術的SSD現已開始出貨。美光G9 NAND傳輸速率3.6 GB/s，不論是在個人裝置、邊緣伺服器，或是企業及雲端資料中心，這顆NAND新品均可展現效能，滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境 |
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為AI應用奠基 美光推出全球最高速資料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，為全球最高速率資料中心SSD，在AI工作負載效能及節能效率上亦領先業界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM與韌體 |
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從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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新唐科技全新M2L31 微控制器滿足高效能嵌入式計算需求 (2024.06.25)
高效能及低功耗成為產品設計的重要關鍵之一，新唐科技推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。為滿足對高效能嵌入式計算需求日益增長的需求。新唐 NuMicro M2L31 微控制器，採用 Arm Cortex-M23 核心，並配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（電阻式記憶體）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款為可持續性和優異能效設計的低功耗產品 |
