帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌HFB控制器XDP與CoolGaN IPS 實現高功率密度
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年08月04日 星期四

瀏覽人次:【15906】

隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加,消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。這一趨勢也為工程師帶來一道「難題」:如何在更小的尺寸內實現更高的功率水準,同時滿足散熱要求。

搭載英飛凌新一代混合返馳式控制器和CoolGaN IPS的Anker充電頭
搭載英飛凌新一代混合返馳式控制器和CoolGaN IPS的Anker充電頭

為了滿足消費者的充電需求,英飛凌發佈了一項創新的解決方案,該解決方案整合了混合返馳式(HFB)控制器XDP數位電源控制器與600 V CoolGaN整合功率級(IPS)產品(IGI60F1414A1L),可以用於設計高能效、高功率密度的充電器和適配器。

安克創新採用了英飛凌的新一代混合返馳式控制器和CoolGaN IPS,應用在100 W以上的快充產品中,實現了更高的功率密度,在市場上處於領先地位。

英飛凌科技電源與感測系統事業部總裁Adam White表示:「在安克創新的新充電器產品中,整合英飛凌的混合返馳式控制器與CoolGaN IPS元件,可實現高達95%以上出色的系統級充電效率。相比其他充電解決方案,這種架構可降低21%的能耗。這也是英飛凌混合返馳式控制器與CoolGaN IPS產品首次深度融合並在消費電子市場的大規模商用。」

安克創新執行長陽萌表示:「氮化鎵技術為我們的充電器帶來了出色的充電效率、更快的充電速度和更小的體積,進而徹底改變了消費電子產品的充電方式。」英飛凌致力於為推動各種重要發展趨勢提供技術支援,讓未來變得更加節能、環保。

關鍵字: Infineon(英飛凌安克創 
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
  相關新聞
» 英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能
» 工研院攜手產業實踐淨零行動 聚焦氫能創新、共創綠色金融科技平台
» TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來
» 車電展歐特明以視覺AI實現交通事故歸零願景
» 多元事業引擎發威 友達揭示零售、教育、醫療高值化方案
  相關文章
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限
» 新一代4D成像雷達實現高性能

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.117.182.179
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw