Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性。FM28V100是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域中，由1Mb電池支援SRAM記憶體升級的理想產品。

Ramtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋說，FM28V100為Ramtron二進位寬產品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代產品，為希望在系統中省去電池或外部電容器的電池支援SRAM或NVSRAM用戶提供了簡便的升級途徑。

FM28V100是128K x 8非揮發性FRAM，讀寫操作與標準SRAM相似，並可在掉電後保存資料。FM28V100提供超過10年的資料保存，能夠消除來自電池支援SRAM（BBSRAM）的可靠性、功能缺點及設計複雜性問題。從系統中去除電池，可讓系統在更寬容的工作溫度範圍運作，而且有利於環保。F-RAM具有快速寫入和幾乎無限的寫入耐用性，比其他類型的記憶體更加優勝。

FM28V100的系統內運作與其他RAM相似，可用作標準SRAM的普通型（drop-in）替代產品。通過轉換晶片引腳或簡單地改變位址，即可觸發讀/寫迴圈。FAM記憶體採用獨特的鐵電儲存製程，因而具有非揮發性，適用於需要頻繁或快速寫操作的非揮發性記憶體應用。FM28V100可在-40℃至+85℃的整個工業溫度範圍工作。

Ramtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造，可實現元件的性能提升，當中包括：

升級的記憶體性能：通過推出FM28V100，將1Mb並行記憶體的週期時間從150ns減少至90ns，較Ramtron現有的1Mb並行F-RAM記憶體提升60％。與Ramtron現有的串列F-RAM產品相比，SPI和I2C串列V系列F-RAM產品的讀/寫性能提升了二至三倍。

更低、更寬泛的工作電壓範圍：由德州儀器採用130ns F-RAM生產製程所帶來的技術進步，F-RAM V系列現提供將F-RAM工作電壓調低至2.0V的彈性，讓F-RAM可在更多的電子系統中以原有的工作電壓運作。

寫入保護特性：並行F-RAM V系列產品具有軟體控制的寫入保護功能，其記憶體陣列分為8個相同的模組，每個模組可在軟體控制下各自實現寫入保護，而無需更改硬體或引腳輸出（pin-out）。

元件ID：V系列中的串列F-RAM產品具有一個24位元ID，這是Ramtron產品所獨有的，以防止產品出現偽造。

獨特的序號：V系列中的串列F-RAM產品採用64位元的序號訂購，由一個16位元客戶ID、40位元獨特代碼，以及需要電子編號的8位元迴圈冗餘碼系統校驗所組成。

可定制的重置電壓：V系列串列F-RAM備有多種重置電壓，從2.14V至3.09V。