美光科技 (Micron) 於日前宣佈，已與英特爾 (Intel) 合力 推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有超大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，該產品預計在今年年底量產。

與 USB、SD快閃記憶體卡和消費性電子產品相比，新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體，以供電腦和數位裝置 (數位相機、可攜式媒體播放器、數位攝影機和各類型個人電腦) 之間的資料擷取和傳輸，而以上這些市場一直承受來自低價與高容量的壓力。

由美光與英特爾雙方合資籌組建的 NAND 快閃記憶體公司 IM Flash Technologies (簡稱 IMFT) ，所開發的這項 64Gb / 8Gb 25 nm 微影技術，可提供每單位 3 位元的資料容量，而傳統技術只能提供 1 位元 (單層式儲存) 或 2 位元 (多層式儲存) 。3bpc 在業界也被稱為三層式儲存 (triple-level cell, 簡稱 TLC) 。

該裝置較相同容量的美光和英特爾 25 nm MLC (多層式儲存) 尺寸節省至少 20%，是目前市面尺寸最小的單一 8Gb 裝置。從現今電子產品有限的設計空間來看，小尺寸快閃記憶體對消費性終端產品快閃記憶體卡顯得尤其重要。此款產品晶片面積為131 mm²，符合業界標準的 TSOP 封裝。