意法半导体（STMicroelectronics；ST）针对汽车市场推出新系列高电压N通道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体内建快速恢复二极体的MDmesh DM2超接面制程，崩溃电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

新系列高电压N通道功率MOSFET内建快速恢复二极体的MDmesh DM2超接面制程

400V和500V两款新产品是获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞品。全系列产品专为汽车应用所设计，内部整合高速本体二极体（fast body diode）、恢复软度系数更高的换向行为（commutation behaviour）和背对背闸极源极齐纳（gate-source zener ）二极体保护功能，是全桥零电压开关拓扑的理想选择。

意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr（反向恢复时间）／Qrr（反向恢复电荷）比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET，同时也拥有最出色的高电流关机能源（ Eoff），有助于提升汽车电源能效。此外，内部高速本体二极体的性能表现出色，有助于降低EMI电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波元件。 MDmesh DM2技术透过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。

产品特色

‧ 快速恢复本体二极体

‧ 极低的闸极电荷及输入电容，500V D2PAK产品的闸极电荷及输入电容分别为44nC和1850pF

‧ 低导通电阻

‧ 最短的Trr（反向恢复时间）：600V TO-247在28A时是120ns；650V TO-247在48A时是135ns

‧ 闸极源极齐纳二极体保护