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ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET SCT3xxx xR系列
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年09月24日 星期二

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半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品(耐壓650V/1200V),適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。

評估板結構
評估板結構

此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可減少約35%,有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。

另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001,其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各類電源IC及離散式產品,是一款容易進行元件評估的解決方案。

本系列產品已於2019年8月起以每月50萬個的規模逐步投入量產(樣品價格2,100日元起,不含稅)。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。

近年來隨著AI和IoT的發展,雲端服務的需求日益增加的同時,全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高性能方向發展,因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面,傳統伺服器的功率轉換電路中,主要是採用矽(Si)元件,但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其,與傳統封裝相比,採用TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,可降低開關損耗,因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。

既2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構SiC MOSFET後,此次開發出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來也會在開發各種革新性元件的同時,推出適合SiC驅動的閘極驅動器IC解決方案,降低各類設備的功耗。

特點

採用4引腳封裝(TO-247-4L),開關損耗減少約35%

在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感成分易引起閘極電壓下降,並延遲開關速度。

本次SCT3xxx xR系列所採用的4引腳封裝(TO-247-4L),可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此可減低電感成分的影響,充分發揮SiCMOSFET高速開關的性能,還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比,導通損耗和關斷損耗合計約可減少35%的損耗。

產品陣容

SCT3xxx xR系列為採用溝槽閘結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型,其中包括3款650V的機型和3款1200V的機型。

應用範例

伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站等。

評估板資訊

SiC MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001中內建適合於驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及離散式產品,可輕易進行評估。為了提供相同條件的評估環境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品,還能安裝並評估TO-247N封裝的產品。另外該評估板還可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

關鍵字: MOSFET  SiC  ROHM 
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