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CISSOID推出新系列高溫小信號晶體管
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2009年11月30日 星期一

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高溫半導體方案供應商CISSOID,近日推出新產品的行星家族高溫晶體管和開關。汞是一種高溫80V的小信號N溝道MOSFET晶體管,其保證的工作溫度範圍為攝氏負55度至225度。憑藉其極端溫度的魯棒性,其輸入電容僅為32pF,在225度其柵極洩漏限於5.6μA,這80V的晶體管適合用於高溫度傳感器接口,如壓電式傳感器或執行一個保護放大器。

在225度這種邏輯級MOSFET可匯到230mA,也可用於切換中或高電阻,例如:轉換3.3V/5V的邏輯信號至高壓開汲極輸出而開啟/關閉時間低於5ns。最後,源極綁在閘極,在高溫度範圍下水銀可被用作高可靠性的80V小電流二極管。

汞,引用為CHT-SNMOS80,在TO-39金屬封裝的評估用之樣品現在已可提供。

關鍵字: 高溫晶體管  CISSOID 
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