帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
CISSOID推出新系列高溫小信號晶體管
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2009年11月30日 星期一

瀏覽人次:【8473】

高溫半導體方案供應商CISSOID,近日推出新產品的行星家族高溫晶體管和開關。汞是一種高溫80V的小信號N溝道MOSFET晶體管,其保證的工作溫度範圍為攝氏負55度至225度。憑藉其極端溫度的魯棒性,其輸入電容僅為32pF,在225度其柵極洩漏限於5.6μA,這80V的晶體管適合用於高溫度傳感器接口,如壓電式傳感器或執行一個保護放大器。

在225度這種邏輯級MOSFET可匯到230mA,也可用於切換中或高電阻,例如:轉換3.3V/5V的邏輯信號至高壓開汲極輸出而開啟/關閉時間低於5ns。最後,源極綁在閘極,在高溫度範圍下水銀可被用作高可靠性的80V小電流二極管。

汞,引用為CHT-SNMOS80,在TO-39金屬封裝的評估用之樣品現在已可提供。

關鍵字: 高溫晶體管  CISSOID 
相關產品
CISSOID新款THEMIS-ATLAS功率驅動器評估套件
CISSOID新款三路運算放大器整合電壓參考
CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C
CISSOID推出功率電晶體驅動器晶片組
CISSOID推出新款高溫度8位元可編程比較器
  相關新聞
» 羅昇投資BlueWalker 布局歐洲與兩岸綠能商機
» 安馳科技建構智慧建築及廠房能源數位轉型對策
» ADI贊助第五屆「創創AIoT競賽」
» 貿澤獲Epson America頒發傑出客戶成長獎
» 儒卓力為亞洲區客戶舉辦電池管理系統系列研討會
  相關文章
» MachXO2控制開發套件優勢探討
» 在醫療儀器領域做創新的研發!
» 黏到每個角落:DELO
» 電子產品綠色節能技術論壇
» 使ESD保護跟上先進製程的腳步

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.142.201.93
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw