ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器

ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。

圖一 : ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器

在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程並縮減電池尺寸，如何提高驅動核心—逆變器的效率已成為重要課題，市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。

ROHM自2010年起領先全球率先開始量產SiC MOSFET，在SiC功率元件技術開發方面，始終保持業界領先地位。其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間，並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時，與使用IGBT時相比，電耗可以減少6%（按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算），非常有助延長電動車的續航里程。
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