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開始時間﹕ |
七月五日(一) 09:00 |
結束時間﹕ |
七月五日(一) 16:00 |
主辦單位﹕ |
財團法人自強工業科學基金會 |
活動地點﹕ |
台北市信義路三段153號3樓(大安捷運站斜對面) |
聯 絡 人 ﹕ |
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聯絡電話﹕ |
02-27075156#281 |
報名網頁﹕ |
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相關網址﹕ |
http://edu.tcfst.org.tw |
F35 動態隨機存取記憶體(DRAM)材料課程目標: 建立對DRAM材料的基本概念及提昇對DRAM材料的了解,應用和開發。修課條件: 大專以上理工科系畢,從事相關產業及有興趣者。課程大綱: 1.Introduction of DRAM and Technology Trend 4.DRAM Applied Materials By Diffusion Processes 2.DRAM Applied Materials By CVD Processes3.DRAM Applied Materials By Metal Processes 5.DRAM Key Processes / Issues In FEOL6.DRAM Key Processes / Issues In BEOL ☆ 主辦單位:財團法人自強工業科學基金會 ☆ 上課地點:台北市信義路三段153號3樓(大安捷運站斜對面) ☆ 費 用: 每門 $2500元(包含講義、文具、午餐及營業稅) ☆ 上課時間:每門皆為6小時,9:00-16:00
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