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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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貿澤為基礎架構和智慧城市設立工程技術資源中心 (2024.10.30)
基礎架構是所有城市的基礎，涵蓋從公共運輸網路到電網和通訊系統的所有一切。隨著數位化程度不斷提升，智慧城市技術不只強化基礎架構，更改變人們的日常生活，例如透過整合智慧電表感測器收集有關能源和水的珍貴資料 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec執行長：全球合作是半導體成功的關鍵 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕舉辦ITF Taiwan 2024技術論壇，以「40年半導體創新經驗與AI的大躍進」為主題，歡慶imec成立40週年，並展示其在推動半導體產業發展的關鍵成就與行動 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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M31與高塔半導體合作 開發65奈米SRAM和ROM記憶體 (2024.08.04)
M31 Technology宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）合作，成功開發65奈米製程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並將設計模組交付客戶端完成驗證，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體）所設計的電路架構，能夠滿足SoC晶片嚴格的低功耗要求 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact） |
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以固態繼電器簡化高電壓應用中的絕緣監控設計 (2024.03.11)
快速準確偵測隔離中的故障，是強化使用者安全和降低災難性電力中斷所造成損害或火災的重要關鍵。 |
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EV GROUP將革命性薄膜轉移技術投入量產 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剝離系統，這是首款採用EVG革命性NanoCleave技術的產品平台。EVG850 NanoCleave系統使用紅外線（IR）雷射搭配特殊的無機物材質，在透過實際驗證且可供量產（HVM）的平台上，以奈米精度讓已完成鍵合、沉積或增長的薄膜從矽載具基板釋放 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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Magnachip擴展用於行動裝置電池保護電路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）採用超短通道技術，擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。
超短溝道是Magnachip的最新設計技術，通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron（MOSFET在導通狀態操作期間的電阻） |
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NXP攜手台積電 推出16奈米車用嵌入式MRAM (2023.05.16)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）今（16）日宣布與台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）合作，推出業界首款採用16奈米（nm）鰭式場效電晶體（FinFET）技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體（Magnetic Random Access Memory；MRAM） |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
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Diodes推出ZXMS81045SPQ高側切換器 確保車用系統可靠性 (2023.02.23)
Diodes宣布推出DIODES ZXMS81045SPQ，這是旗下首款自我防護型且符合汽車規範的高側IntelliFET產品。這款小尺寸裝置能提供高功率電源，同時具有保護和診斷功能，適用於驅動12V車用裝置負載，如汽車車身控制和照明系統中的LED、燈泡、致動器和馬達 |
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imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮 |
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ADI矩陣LED顯示器驅動器支援友達車用寬螢幕 提升駕駛安全性 (2022.11.03)
Analog Devices, Inc宣佈友達光電將在其領先的車用寬螢幕顯示器產品系列中採用ADI矩陣LED顯示器驅動器技術。透過此項領先業界的技術支援局部調光，可將功耗明顯降低至少50％，並滿足功能安全要求 |
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EVG推出NanoCleave薄膜釋放技術 使先進封裝促成3D堆疊 (2022.09.13)
EV Group（EVG）今日宣布推出NanoCleave技術，這是一種供矽晶圓使用的革命性薄膜釋放技術，此技術使得先進邏輯、記憶體與功率元件的製作及半導體先進封裝的前段處理製程，能使用超薄的薄膜堆疊 |
