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非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度 |
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關於台積電的2奈米製程，我們該注意什麼？ (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖，有什麼重要性？又會帶出哪些半導體製造技術的風向球？本文就從技術演進，以及市場競爭與成本的角度來切入分析。 |
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imec最新High-NA EUV技術進展 加速微影生態系統開發 (2022.04.26)
比利時微電子研究中心（imec）於本周國際光學工程學會（SPIE）舉行的先進微影成形技術會議（2022 SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference）上展示其High-NA微影技術的重大進展，包含顯影與蝕刻製程開發、新興光阻劑與塗底材料測試，以及量測與光罩技術優化 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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2022年DRAM產值達915億美元 下半年止跌反漲 (2021.11.04)
根據TrendForce研究顯示，2022年的DRAM供給位元成長率約18.6%，然而由於目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅17.1%，明年DRAM產業將由供不應求轉至供過於求，但在寡占市場型態下，整體產值並不會大幅下跌，預估2022年的DRAM總產值將達915.4億美元，年增微幅上升0.3% |
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DRAM報價大漲台廠受惠 2021首季全球總產值增8.7% (2021.05.11)
TrendForce研究顯示，2021年第一季DRAM的需求比預期還來得更強勁，包含遠距辦公與教學帶動筆電市場淡季不淡，中國手機品牌Oppo、Vivo、小米也積極加重零組件採購力道，搶食華為被列入實體管制清單後的市占缺口 |
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車用記憶體未來三年成長超過30% 台廠實力不容小覷 (2021.02.23)
TrendForce旗下半導體研究處表示，隨著自駕等級的提升、5G基礎建設的普及等因素，車用記憶體未來需求將高速增長。
以目前自駕程度最高的特斯拉（Tesla）為例，從Tesla Model S/X起 |
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TrendForce：2021年第一季整體DRAM均價將止跌回穩 (2020.12.10)
根據TrendForce旗下半導體研究處表示，包含PC DRAM（占總供給位元數13%）、Server DRAM（34%）、Mobile DRAM（40%）、Graphics DRAM（5%）以及Consumer DRAM（8%）在內的DRAM領域，因整體屬寡占市場型態，供需動能較NAND Flash明顯健康許多 |
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
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仿真和原型難度遽增 Xilinx催生世界最大FPGA (2019.10.03)
賽靈思推出世界最大容量的FPGA，單一顆晶片擁有最高邏輯密度和最大I/O數量，將可以用於對未來最先進的ASIC和SoC技術的仿真與原型設計提供支援。 |
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解決黃光技術成本挑戰 默克提出DSA代替微影材料 (2019.09.19)
微影（lithography）扮演半導體製程中最重要的流程，通常占全體製程40%~50%的生產時間。隨著電晶體大小持續微縮，微影技術需製作的最小線寬（pitch level）也被為縮至極短波長才能製成的程度，從採用波長365nm的UV光，到波長248nm及193nm的深紫外線光（DUV），甚至是波長10~14nm的極紫外線光（EUV），微影技術正面臨前所未有的挑戰 |
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[矽谷直擊] 仿真和原型難度遽增 Xilinx全球最大FPGA問世 (2019.08.22)
在今天，創新案例層出不窮，各種AI人工智慧/機器學習、5G、汽車、視覺，和超大規模ASIC與SoC等應用需求不斷地增加，而系統架構、軟體內容和設計複雜性也隨著不斷增加，促使業界越來越頻繁啟動ASIC和SoC設計，並衍生了新型態的挑戰 |
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大銀預估最快9月上市 看好明年景氣回溫 (2019.08.07)
繼中美貿易戰後，日韓貿易戰又接踵而至，除了造就亞洲供應鏈陸續外移至東南亞等地，中國大陸、南韓更先後宣佈擴大投資設備自主化，對於傳動元件需求亦與日俱增，產能最快可在明(2020)年開出 |
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TrendForce：2018年第四季DRAM產值正式反轉向下 (2019.02.26)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，DRAM報價於2018年第四季開始反轉向下，造成DRAM整體產業營收下滑。由於需求端的庫存水位普遍偏高，導致採購力道薄弱，連帶使得DRAM供應商的位元出貨(sales bit)多呈現大幅季衰退 |
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TrendForce：第三季DRAM產值再創新高 原廠獲利能力恐觸頂 (2018.11.15)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第三季DRAM整體產業營收較上季成長9%，再創歷史新高。觀察各產品別的報價走勢，除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)受到虛擬挖礦(cryptocurrency)需求驟減與基期太高的影響 |
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TrendForce：Q2全球行動式記憶體產值再創新高 (2018.08.20)
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，第二季在Android陣營接續發表旗艦新機的帶動下，全球智慧型手機市場總生產數量季增近3%。由於高階機種主流搭載容量升至6GB，且8GB的搭載占比也較去年擴大；加上市場供給仍舊緊缺，帶動第二季合約價格微幅上揚，在量增價漲下，第二季行動記憶體產值來到88.69億美元，季增5.1%，再創新高 |
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TrendForce：第二季DRAM營收季增11.3%再創新高 (2018.08.13)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第二季由於供給吃緊情況延續，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創新高。除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)仍受惠於虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其餘各應用別的記憶體季漲幅約在3%左右 |
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TrendForce：伺服器記憶體供貨率提升 Q3合約價增幅有限 (2018.06.26)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，由於伺服器用記憶體平均出貨供給達成率(Fulfillment Rate)逐季攀升，現階段供給吃緊的狀況有機會在下半年獲得紓解。
DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出 |
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TrendForce：單價續揚 DRAM第一季營收季增5.4%再創新高 (2018.05.14)
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第一季的DRAM價格走勢，除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)受惠於基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其餘各應用別的記憶體在第一季約有3-6%不等的季漲幅，今年第一季全球DRAM總營收較2017年第四季成長5.4%，再創新高 |
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創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET (2018.02.02)
本文介紹一個創新的依靠能帶調製方法的快速開關 Z2-FET DGP元件，該元件採用先進的FDSOI製造技術，具有超薄的UTBB，並探討在室溫取得的DC實驗結果。 |
