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BiCMOS製程提供放大器更高精確度 (2006.05.16)
美國國家半導體（NS）為供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術，VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽（SOI）的BiCMOS製程，其中採用的薄膜電阻不僅可以微調 |
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BiCMOS製程提供放大器更高精確度 (2006.05.02)
美國國家半導體（NS）為供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術，VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽（SOI）的BiCMOS製程，其中採用的薄膜電阻不僅可以微調 |
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以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.27)
NS以絕緣矽（SOI）BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能，這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器所設計，其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上 |
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以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.06)
NS以絕緣矽（SOI）BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能，這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器所設計，其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上 |
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以BiCMOS製程技術提昇放大器效能 (2005.10.01)
NS以絕緣矽（SOI）BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能，這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器所設計，其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上 |
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NS全新放大器晶片確保麥克風發揮高度原音音響效果 (2005.03.16)
美國國家半導體(NS)推出兩款可直接裝設於駐極體電容器麥克風(ECM)之內的全新放大器晶片，確保麥克風可以發揮高度原音的音響效果。一直以來，無線電子產品製造商無法為駐極體電容器麥克風引進數位語音技術，以免加大產品體積以及加重成本負擔 |
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NS高精度放大器為電流感應精確度確立業界標準 (2004.12.14)
美國國家半導體(NS)推出三款全新的高共模差動放大器，進一步強化其高效能高精度放大器系列的產品陣容。這幾款全新的放大器是專為工業生產、醫療診斷及汽車電子系統等多種不同的應用而設計，可以支援準確的電流感應，最適用於筆記型電腦和行動電話的電池充電和放電系統以及燃料噴射控制系統 |
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NS推出雙供電模式運算放大器 (2004.10.13)
美國國家半導體(National Semiconductor Corporation)推出一款市場上供電電流最低的雙供電模式運算放大器。美國國家半導體這款型號為LMV422的放大器晶片設有獨特的節能模式，確保客戶的系統即使維持在通電狀態，仍可減低功耗 |
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美國國家半導體推出雷射二極體驅動器 (2004.08.18)
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)推出一款適用於光學拾訊器 (Optical Pickup Units；OPU) 而設的全新雷射二極體驅動器。這款型號為 LMH6533 的晶片具有極快開關速度、極低輸出電流雜訊以及低功耗等優點 |
