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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件，進而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度 |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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Flex Power Modules為AI資料中心提供高功率密度 IBC 系列 (2024.11.05)
Flex Power Modules推出一款高性能非隔離、非穩壓式的DC/DC中間匯流排轉換器（IBC），BMR316針對需要密集運算能力的人工智慧（AI）和機器學習（ML）資料中心應用而設計。緊湊的BMR316適用於電路板空間有限的其他高功率IBC應用 |
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ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%） |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用 |
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AI數據中心：節能減碳新趨勢 (2024.10.28)
面臨GPU及AI資料中心耗費龐大電量，市面上各種冷卻散熱方案終究是治標不治本，而有國內外電源大廠開始從電網的中載變壓器、終端人與物料維運模式溯源減碳的全方位解決方案 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低 |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理 (2024.10.24)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布與英特爾合作推出新的電源管理解決方案，為採用Intel Core Ultra 200V系列處理器的筆記型電腦提供最佳化電池效率。
新款客製化電源管理IC（PMIC）可滿足最新一代英特爾處理器的所有電源管理需求 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電（PD）充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用等設備中的以GaN為基礎的反激式轉換器而設計 |
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Vicor高密度車規級電源模組實現電動車48V電源系統 (2024.10.17)
Vicor發佈三款用於48V電動車電源系統的車規級電源模組。這些模組提供先進的功率密度，可以滿足汽車廠商和一級供應商在2025年的生產需求。BCM6135、DCM3735 和 PRM3735使用Vicor設計的經過AEC-Q100認證的IC，並已完成與汽車客戶的 PPAP（生產件批准程式）過程 |
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貿澤電子即日起供貨Molex UltraWize線對板電源連接器 (2024.10.14)
為協助資料中心應用提升功率密度的高效益，貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨Molex的UltraWize線對板電源連接器。UltraWize電源連接器是專為高需求的資料中心環境所設計，能為伺服器（GPU）、交換器和其他資料中心應用提供可靠且省空間的配電連接 |
