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運用nvSRAM維持企業級SSD的可靠性 (2014.04.08)
隨著記憶體容量的增加且價格越來越便宜, 固態硬碟逐件取代傳統硬碟的使用。 以每Gigabyte(GB)成本來看,固態硬碟將更具成本效益。 分析師預測固態硬碟價位可望持續下滑,使用率亦將陸續增加
直接製造革命 (2014.03.12)
3D列印讓個人化的創意、發想得以容易地實現。 不久的未來,當3D列印走向直接數位製造之後, 普羅大眾將更有機會『直接』從3D列印上獲得利益。
運用nvSRAM 維持企業級SSD於電源故障時的可靠性 (2013.10.04)
固態硬碟技術簡介 固態硬碟(Solid State Drives,簡稱SSD)是一種能永久儲存資料的裝置,採用固態半導體的記憶體,如快閃記憶體(NAND Flash),有別於傳統硬碟機(HDD)所使用的磁性材料
Cypress的平行式nvSRAM非揮發記憶體獲LSI青睞 打造業界首款12Gb/s SAS介面卡 (2013.09.25)
觸控感測市場領導廠商Cypress Semiconductor宣布LSI已為其新款12 Gb/s SAS介面卡(HBA)選用Cypress的平行式非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAMs),這些介面卡將用在高效能伺服器、工作站、及外接式儲存系統
Maxim高整合度微控制器提供金融終端單晶片方案 (2012.12.06)
Maxim Integrated (MXIM)推出DeepCover系列的最新安全產品:高整合度微控制器MAX32590。改良後的產品安全特性滿足最新的安全標準要求,適用於金融終端和新一代受信任設備,如具有多媒體功能的可?式EFT-POS終端
Microchip推出1Mb密度和80 Mbps速度的串列SRAM產品組合 (2012.08.10)
Microchip日前宣佈推出四款最大密度和最快速度的全新元件,擴展了其串列SRAM產品組合。這些元件是首批5V操作的產品,適合汽車和工業應用中的大部分應用。這些512 Kb和1 Mb SPI元件保持了產品組合的低功耗和小型8接腳封裝,啟動成本低
Cypress推出新款序列非揮發靜態隨機存取記憶體 (2011.03.28)
Cypress近日宣布推出新款序列非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAM),支援儀表、工業以及汽車等應用所常用的I2C與SPI介面。新款元件提供高達104MHz的運作時脈,支援各種SPI元件(I2C產品則支援至3.4MHz),並提供一款可選購的整合式即時時脈(RTC),針對備份的關鍵資料提供時戳功能
Cypress新nvSRAM 內建即時時脈功能 (2009.10.18)
Cypress公司近日宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體(nvSRAM),以及內建即時時脈(RTC)功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM,提供電腦運算、工業、汽車、以及資料傳輸應用最佳解決方案
Cypress子公司AGIGA推出非揮發性RAM系統 (2009.10.14)
Cypress宣布旗下子公司AgigA Tech推出高密度的高速非揮發性RAM系統。AGIGARAM非揮發系統(NVS)的全新CAPRI系列產品提供256 megabytes (2048 megabits) 至2 gigabytes (16 gigabits)密度。 該公司表示,此款產品採用DDR2 SDRAM介面,可提供速度達到800 MHz,且尖峰傳輸率可達DRAM水準
AgigA Tech推出免電池非揮發性RAM記憶體 (2009.06.30)
Cypress公司近日宣布旗下子公司AgigA Tech公司推出業界首款高速、高密度的非揮發性RAM記憶體系統。新款AGIGARAM非揮發系統(NVS)技術,帶來介於4 megabytes(32 megabits)及2 gigabytes(16 gigabits)之密度,尖峰傳輸率足以媲美DRAM
AgigA Tech推出高密度非揮發性RAM系統 (2009.06.30)
Cypress Semiconductor宣布旗下子公司AgigA Tech推出業界首款高速、高密度的非揮發性RAM記憶體系統。新款AGIGARAM非揮發系統(NVS)技術,帶來介於4 megabytes(32 megabits)及2 gigabytes (16 gigabits)之密度,尖峰傳輸率足以媲美DRAM
Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品,提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100,是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM,採用32腳TSOP-I封裝,具備快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性
Cypress整合PSoC與非揮發性SRAM技術 (2008.09.26)
Cypress Semiconductor公司發表業界首款整合非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory, nvSRAM)與可編程系統單晶片之元件。全新的PSoC NV系列產品結合Cypress旗艦級PSoC架構之彈性化設計功能,以及永續記憶的nvSRAM於單一晶片的封裝中
Cypress新增2-Mbit與8-Mbit nvSRAM產品 (2008.07.14)
Cypress公司發表2-Mbit與8-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory;nvSRAM),將Cypress的nvSRAM系列產品線從16-Kbit擴展至8-Mbit。此全新元件具備20奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色
電池供電SRAM與非揮發性SRAM技術比較 (2008.06.10)
過去三十年來,工程師由於結合電池與靜態RAM,能在刻意與意外斷電情形時,讓系統仍可保護資料。最初業界採用內建低密度記憶體電路的分立式解決方案,及單純的電池技術,搭配分立式電源感測與切換電路
非揮發靜態隨機存取記憶體優勢介紹 (2008.02.18)
記憶體可大致分成揮發性記憶體,以及非揮發性記憶體。結合SRAM功能與非揮發性儲存能力的記憶體,能在系統中發揮許多優點。本文簡單介紹NVSRAM的特性與工作原理,並比較NVSRAM與其他提供類似解決方案的記憶體
Cypress新4-Mbit nvSRAM採0.13微米SONOS製程 (2007.10.26)
Cypress公司發表一款全新4-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體(non-volatile static random access memory;nvSRAM),具備15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色
Cypress推出高速小型非揮發性SRAM系列產品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣佈推出非揮發性SRAM系列產品-nvSRAM的第一款元件產品。此款創新元件在切斷電源的情況下,繼續儲存內部資料,而無須外接電池,因此,讓Cypress這項創新高速裝置不但符合歐盟電子電機設備有害物質限用指令(RoHS)的規定,且可提供比其他解決方案更小的封裝


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