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GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26)
GaN具有獨特的優勢,提供卓越的性能和效率,並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求,並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。
Microchip擴大氮化鎵(GaN)射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率元件產品組合,推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路(MMIC)和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準
PIDA:GaN功率元件可望作為5G替代材料 2023將蓬勃發展 (2020.05.15)
據SBWIRE預測,GaN功率元件市場將從2017年的4億美元成長至2023年的1.9億美元,2017年至2023年的複合年成長率為29%。光電協進會產業分析師林政賢認為,推動GaN功率元件成長的關鍵因素來自消費電子產品和車用裝置的龐大需求
英飛凌以 8.5 億美元現金收購 Wolfspeed (2016.07.18)
英飛凌科技(Infineon)與Cree公司宣佈英飛凌已簽訂最終協議,將收購 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率與射頻部門 (「Wolfspeed」),此收購包括功率與射頻功率的 SiC 晶圓基板事業。此全額現金支付的交易的收購金額為 8.5 億美元 (約 7.4 億歐元)
Agilent與NXP合作展示高功率電晶體及模擬方案 (2011.11.08)
安捷倫科技(Agilent)與NXP半導體於日前共同宣佈,將針對安捷倫的非線性向量網路分析儀(NVNA)已在歐洲微波週中提供現場展示。該NVNA必須在安捷倫的PNA-X系列網路分析儀上執行,在這次的展示中,被用來對NXP專為2.45 GHz ISM頻帶應用而設計的高功率LDMOS電晶體進行特性描述
飛思卡爾擴充泛用放大器的產品線 (2005.06.10)
飛思卡爾半導體擴充其砷化鎵(GaAs)製程泛用放大器(GPAs)的產品線,範圍涵蓋11種新元件。泛用放大器可直接以5伏特直流電壓運作,其運作範圍從直流電等級到6 GHz的高頻運用都有,是一種廣受愛用的應用元件
2004亞洲智能網路開發論壇紀實 (2004.12.04)
為顯示對大中華區市場的重視,甫於Motorola半導體部門獨立出來的Freescale今年將一年一度的亞洲智能網路開發論壇(SNDF)移師到風光明媚的海南島盛大舉行,匯集中、港、台與新加坡等地300多位客戶共同探討目前網路相關技術與產品的最新發展,也充分顯示該公司對亞太區市場經營的大氣魄


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