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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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英飛凌與英飛源合作 拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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英飛凌推出 HybridPACK Drive G2 適用於新型汽車功率模組 (2023.05.11)
英飛凌科技股份有限公司近日推出一款新型汽車功率模組—HybridPACK Drive G2。該模組承襲了成熟的HybridPACK Drive G1整合B6封裝概念，在相同尺寸下提供可擴展性，並擴展至更高的功率和易用性 |
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Bloom Energy選用英飛凌CoolSiC功率元件 助力電源供應 (2022.10.28)
當前的能源危機充分表明全球迫切需要尋找替代能源以建構氣候友善型的能源供應能力。總部位於美國加州的Bloom Energy公司近期選用了英飛凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二極體產品，用於該公司燃料電池產品Bloom’s Energy Server以及Bloom Electrolyzer電解系統中的功率轉換 |
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英飛凌助力台達雙向逆變器 化EV為家庭緊急備用電源 (2022.08.03)
英飛凌宣布旗下CoolSiC產品獲得台達電子（Delta Electronics）選用，助力台達朝向利用綠色電力實現能源轉型與碳中和的目標邁出了一大步。
台達成功開發出的雙向逆變器，透過結合太陽能發電、儲能與電動車（EV）充電的三合一系統，讓電動車搖身一變成為家用緊急備用電源 |
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英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。
英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠 |
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英飛凌擴展CoolSiC系列高電壓產品 符合1500 VDC應用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量 |
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英飛凌推出全新CoolSiC技術產品組合 大幅提高靈活性 (2022.04.22)
英飛凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技術：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化矽（SiC）晶片將透過常見的Easy模組系列以及.XT互連技術的獨立封裝，建置於廣泛擴充的產品組合 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
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英飛凌推出XHP 2功率模組 有軌電車優化促進綠色移動 (2022.03.08)
英飛凌科技股份有限公司將推出採用XHP 2封裝，採用CoolSiC MOSFET和.XT技術的功率半導體，特別適用於軌道交通的定制需求。
英飛凌XHP 2功率模組的價值，已在西門子鐵路系統（Siemens Mobility）和Stadtwerke Munchen（SWM）公司聯合展開的實際道路測試中得到證明 |
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英飛凌模組和晶片技術為陽光電源352千瓦光伏解決方案添動力 (2021.10.12)
隨著最新1500伏光伏串列式逆變器SG350HX的推出，陽光電源公司 (Sungrow) 提供新的解決方案，其最大輸出功率為352千瓦。因此，與其上一代逆變器相比，新的逆變器的輸出功率大幅增加了約40% |
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英飛凌22千瓦工業通用馬達驅動參考設計置入最新技術 (2021.09.07)
現今系統方案在電力電子和半導體市場上漸受重視，英飛凌科技推出一個經過測試的工業參考設計該參考設計是一個通用的馬達驅動器，額定功率為22千瓦，可直接在380至480伏的三相電網上運行 |
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儒卓力提供英飛凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V電源模組 (2021.08.30)
英飛凌的CIPOS Maxi 碳化矽（SiC）整合式電源模組（IPM）是一款採用CoolSiC MOFSET技術、55 mΩ三相的智慧電源模組，具有開路發射極，採用36x23D DIP封裝，是可提供優良導熱性和寬廣切換速度選擇（高達80 Hz）的全功能精簡型變頻器解決方案 |
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英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式，導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
