台达子公司??基半导体，持续专注於第三代半导体氮化??（GaN）技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订，且在这次增资的同时，获得了与力智电子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商罗姆半导体（Rohm），以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系，共同加速GaN功率半导体技术的发展。

??基半导体总经理邢泰刚博士表示，氮化??(GaN)可提供更高效率、更低功耗和优异节能优势。围绕GaN新技术的演进，相关生态系统正在不断发展，新应用也不断涌现，我们很高兴能与力智uPI、中美矽晶SAS、罗姆Rohm等业界先进成为战略合作夥伴，也感谢母公司台达持续在内部事业单位中孕育与??基合作的可能性。这个组合将使我们能够在材料、控制IC设计、应用和系统解决方案等面向，建构全面性的整合能力，并加速我们打造出具有更高竞争力的GaN技术应用。

??基的GaN解决方案包括领先行业的离散元件产品、系统封装(SiP)和系统单晶片 (SoC) 组合，具有卓越的品质、可靠度和耐用性，已通过应用於母公司台达电源系统的严格检验。 同时，??基也透过持续内部的系统优化与技术提升，俾使客户得到最理想的服务。结合台达长期致力於提升电力电子核心技术以满足全球电源市场需求的承诺，不但能协助??基提高生产能力、为不断增长的GaN市场迅速提供更完整服务，更将进一步加快消费电子、电信和汽车市场的先进技术和产品开发。这对??基而言，将是成长的关键动力，也同时加速电源技术的创新，为实现永续发展做出实际贡献。