鉴于DDR2主流世代加速推展，力晶巩固十二吋厂领先地位动作不停歇，12C、12D兴建计划加速推展，加上今年因采购旺宏十二吋厂，进行产能扩充，力晶年度资本支出将由300亿元提高为600亿元。为此，力晶今年筹资案将采「资本市场」搭配「银行联贷」方式双向进行；董事会决议通过在2亿4000万股至3亿股额度内，发行GDR（海外存托凭证），并办理2亿美元ECB（海外可转换公司债），合计筹资约新台币100亿元至120亿元。

除上述ECB、GDR案外，力晶现正与银行团协商联贷案合作，因银行团支持态度正面，力晶此番联贷金额将逾200亿元，使得力晶今年筹资总额超越四百亿元之多。

力晶今年将以十二吋厂产能持续扩充，搭配90奈米良率稳健提升，强化DDR2成本竞争，全力冲刺，挑战年度营收千亿元目标。根据力晶内部规画，未来六年，将以每三年盖二座十二吋厂速度，再盖四座十二吋晶圆厂，朝全球市占率前三大目标迈进。

据了解，力晶今年产出约有80％至100％成长；相对于当前厂商DDR2成本约四美元上下，内部将以年底DDR2成本改善达2.6美元、2.7美元严格自我砥砺，进一步拉大获利空间。

力晶董事长黄崇仁表示，目前全球生产90奈米DDR2仅台湾最多，美光因旗下厂多属八吋，海力士、三星旗下十二吋厂多朝Flash移动，在需求、供给相互牵制下，有利于DDR2行情稳健攀扬。尤其，力晶今年获得旺宏十二吋厂出售机会，适时化解新厂土地不易寻觅、产能不足的问题，预计年底月产能可达二万片；届时，旗下十二吋晶圆总产能将达十万片，持续领先同业。

力晶预估第二季即有90奈米的DDR2产出，以目前八万片月产能来看，届时约有50％、四万片的水平属DDR2。今年旗下代工业务比重约从18％至20％的营收比重，急速拉升达25％至30％水平，至于高密度FLASH营运比重约为10％。