鑑於DDR2主流世代加速推展，力晶鞏固十二吋廠領先地位動作不停歇，12C、12D興建計畫加速推展，加上今年因採購旺宏十二吋廠，進行產能擴充，力晶年度資本支出將由300億元提高為600億元。為此，力晶今年籌資案將採「資本市場」搭配「銀行聯貸」方式雙向進行；董事會決議通過在2億4000萬股至3億股額度內，發行GDR（海外存託憑證），並辦理2億美元ECB（海外可轉換公司債），合計籌資約新台幣100億元至120億元。

除上述ECB、GDR案外，力晶現正與銀行團協商聯貸案合作，因銀行團支持態度正面，力晶此番聯貸金額將逾200億元，使得力晶今年籌資總額超越四百億元之多。

力晶今年將以十二吋廠產能持續擴充，搭配90奈米良率穩健提昇，強化DDR2成本競爭，全力衝刺，挑戰年度營收千億元目標。根據力晶內部規畫，未來六年，將以每三年蓋二座十二吋廠速度，再蓋四座十二吋晶圓廠，朝全球市佔率前三大目標邁進。

據了解，力晶今年產出約有80％至100％成長；相對於當前廠商DDR2成本約四美元上下，內部將以年底DDR2成本改善達2.6美元、2.7美元嚴格自我砥礪，進一步拉大獲利空間。

力晶董事長黃崇仁表示，目前全球生產90奈米DDR2僅台灣最多，美光因旗下廠多屬八吋，海力士、三星旗下十二吋廠多朝Flash移動，在需求、供給相互牽制下，有利於DDR2行情穩健攀揚。尤其，力晶今年獲得旺宏十二吋廠出售機會，適時化解新廠土地不易尋覓、產能不足的問題，預計年底月產能可達二萬片；屆時，旗下十二吋晶圓總產能將達十萬片，持續領先同業。

力晶預估第二季即有90奈米的DDR2產出，以目前八萬片月產能來看，屆時約有50％、四萬片的水準屬DDR2。今年旗下代工業務比重約從18％至20％的營收比重，急速拉升達25％至30％水準，至於高密度FLASH營運比重約為10％。