在法國巴黎Cartes貿易展中，英飛凌科技AG宣佈與英特爾進行技術性策略聯盟，開發高密度(HD) SIM卡最佳化晶片解決方案。依照雙方簽訂協議，英飛凌將建構模組化晶片解決方案，而英特爾則負責提供記憶體架構，容量從4MB到64MB不等。英飛凌將運用其安全性硬體設計的豐富經驗，依現有SLE 88系列開發出用於HD SIM卡的32位元安全性微控制晶片。英特爾提供最先進的快閃記憶體技術、容量與製造。

雙方密切合作讓英飛凌HD安全性微控制器晶片，搭配英特爾快閃記憶體解決方案，得以達致最佳化校準，有效整合入HD SIM卡設計。初期快閃記憶體產品系列的開發將採65奈米與45奈米製程，生產最高達64MB的NOR快閃記憶體。目前安全性微控制器晶片採130奈米的製程技術，尚屬智慧卡應用產品使用的最先進晶片。依據ETSI標準規格，所有HD SIM解決方案產品的電壓範圍都在1.8 V到3.3 V之間。SLE 88系列產品概念可讓現有SIM卡作業系統軟體輕易重覆使用。

美國市場研究公司Frost & Sullivan預測，到2010年，高密度SIM卡將佔全部SIM卡市場的6%到8%，總數達38億多片–高於2007年的25億片。

Frost & Sullivan市場研究公司智慧卡通訊技術部門全球計畫督導Anoop Ubhey指出，「這兩個行動應用的專業廠商，透過技術協議合作結盟，將撼動HD SIM市場重新洗牌。高密度SIM卡專用的NOR記憶體與微控制器晶片，開啟未來商務型態的新契機，擴展行動網路業者的業務範圍。」