英飛凌（Infineon）今日在台北舉行氮化鎵（GaN）方案CoolGaN新品發表會，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本。

英飛凌（Infineon）在台北舉行CoolGaN新品發表會

台灣英飛凌科技副總裁暨總經理詹啟祥表示，英飛凌長期位居離散電源元件（Discrete Power MOSFETs）市場的龍頭地位，且市佔率遠遠領先排名第二的業者，所憑藉的就是在品質與技術上的堅持。而今日所推出的CoolGaN新品，也將是英飛凌在電源市場上的一大重要策略，將投入與矽（Si）和碳化矽（SiC）產品相同的力量，追求市場的領先地位。

詹啟祥並強調，CoolGaN產品系列推出後，英飛凌將是市場上唯一一家能夠同時提供Si、SiC和GaN全系列功率產品的半導體業者。

今日發表的新款CoolGaN 600 V增強型HEMT系列，採用與傳統矽產品相同的「常閉」設計，不僅讓工程師更容易導入，同時也實現了快速開通和關斷，可在開關式電源（SMPS）中達成高能源效率和高功率密度。此外，其優值係數（FOM）也高於目前市場上其他的600 V元件。

英飛凌科技奧地利資深產品行銷經理鄧巍博士表示，英飛凌的CoolGaN系列採用獨家的常閉(normOFF)概念，同時也在生命週期上達到最佳的適性。而CoolGaN開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率，從而縮小被動元件的總體尺寸，提高功率密度。

鄧巍進一步指出，英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正器（PFC）具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％），相同能效下的功率密度可達到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。

他也強調，英飛凌非常重視產品的品質，尤其在產品的可靠性上，不僅對元件本身有嚴格的品管，同時也針對應用環境中的性能進行全面測試，以確保CoolGaN開關滿足最高品質標準。

目前CoolGaN 600 V增強型HEMT提供70 m?和190 m?的SMD封裝，以滿足不同的散熱需求和低寄生效應。另也推出全系列SMD封裝產品，支援高頻運行的應用，如企業級資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。

而針對旗下CoolGaN產品的獨特設計，英飛凌也推出了相對應的氮化鎵EiceDRIVER驅動IC：1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H。

英飛凌表示，EiceDRIVER是專為優化CoolGaN性能所設計，能實現強固且高效的運作，同時也能減少工程師的研發負擔，加快產品上市時程。

鄧巍解釋，英飛凌的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受雜訊影響導致誤導通，即便是首脈衝。此外，氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作迴圈或開關速度影響。

而在供貨方面，英飛凌表示，目前全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現已開始供貨，矽基GaN EiceDRIVER IC可供預訂。