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英飛凌90奈米製程技術移轉中芯
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2006年01月06日 星期五

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德國DRAM大廠英飛凌科技已與大陸晶圓代工廠中芯國際達成協議,中芯獲得英飛凌90奈米DRAM溝槽式(Trench)製程技轉,並在北京十二吋廠中以90奈米技術為英飛凌代工512Mb DDR2,初估英飛凌將可取得中芯北京廠每月1萬5000片以上產能。至於與英飛凌共同研發90奈米的南亞科技,則密切注意後續發展中。

英飛凌雖然決定今年七月將記憶體事業切割獨立為新公司,但基本營運策略仍然延續過去思維,為了以最少投資擴大DRAM產能,英飛凌及未來記憶體新公司,仍然持續採用技轉換取產能方式,擴大DRAM市場佔有率。其中在最先進的90奈米製程上,英飛凌除了與華邦簽訂合約技術移轉,取得華邦中科十二吋廠部份產能外,也將與中芯簽訂技轉新合約。

關鍵字: DRAM  英飛凌科技  動態隨機存取記憶體 
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