立錡科技與宜特科技宣布一項MEMS檢測合作成果，雙方針對立錡積極開發的MEMS G-Sensor提出最佳分析除錯解決方案。基於宜特建構出的一代MEMS G-Sensor標準失效分析流程，2013年雙方已有成功的合作經驗；2014年在二代MEMS分析技術，再度攜手合作，順利協助立錡在MEMS設計階段釐清失效因素，此分析技術更獲得ISQED（國際品質電子設計研討會）認可。

/news/2015/01/13/1504158500S.jpg

隨智慧型產品、穿戴式裝置與物聯網的需求下，MEMS G-Sensor元件需求量逐步放大，IC設計公司積極佈局，渴望取得市場先機，佔有一席之地。

「立錡是IC設計公司中積極佈局MEMS的廠商之一，宜特與立錡長期共同合作，從產品研發至試產階段，釐清MEMS G-Sensor失效因素，提供全方位整合服務，協助立錡加快設計、產品設計定案與產品上市的時程。」宜特科技故障分析工程處處長許如宏表示。

許如宏進一步指出，宜特運用二代MEMS分析技術，順利的將MEMS G-Sensor「全質量塊」在無應力狀態下移除，移除後即觀察到底層「固定質量塊」下方的接合處毀損；該失效異常點與電子異常訊號，經檢測後為一致，即為失效真因。

立錡科技品保處處長翼景雲表示：「雙方長期在產品可靠度與失效分析的合作基礎上，此次立錡在投入MEMS G-Sensor產品開發之時，在設計階段即緊密合作，宜特提供許多專業性的建議與支持，其快速且完整的MEMS最佳解決方案，實是立錡在MEMS產品驗證上的重要夥伴之一。」（編輯部陳復霞整理）

圖:在iST宜特MEMS二代失效分析下，可觀察出失效G-Sensor元件結構接合處毀損。