英飛凌科技公佈業界第一款900V的Superjunction（超級結）MOSFET，專門用於高效能SMPS（交換式電源供應）、工業及再生能源轉換。英飛凌推出新型節能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率電晶體製造上的"矽限制"，提供使用標準型TO（電晶體管型）封裝即具高電壓設計的替代方案。Coolmos 900 V系列產品擁有極低靜態和動態損耗，協助工程師設計出更高效率、更具成本效益的各種轉換器拓撲，應用於液晶電視、太陽能發電系統、電腦大功率（silverbox）電源供應器及照明系統。

英飛凌Coolmos家族功率晶體採用創新技術突破矽晶體物理限制，這種特性在MOSFET半導體提高一倍阻擋電壓時，會導致RDS（on）（通態電阻）增加五倍 。在克服矽特性限制上， CoolMos 900V系列各種封裝類型皆擁有業界最低RDS（on），TO-247封裝的通態電阻為0.12歐姆，TO-220封裝0.34歐姆，D-PAK封裝1.2歐姆，都比起採傳統900V MOSFET同類封裝的通態電阻至少低75％。憑藉著低RDS（on）係數，新型Coolmos 900 V系列可提供低至34歐姆轉換電荷（nanocoulomb）的FOM（優位指數，計算公式為通態電阻乘以閘電荷），提供極低的傳導、驅動與轉換損耗，從而提高整體效率。