【德國慕尼黑訊】英飛凌科技 (Infineon) 推出OptiMOS線性FET系列產品，結合了先進溝槽式MOSFET的導通電阻(RDS(on)) 與平面型MOSFET的寬廣安全操作區域，解決了需在RDS (on) 和線性模式功能間抉擇的難題。新款OptiMOS線性FET可以在強化模式MOSFET的飽和區運作，適用於電信及電池管理系統(BMS)中常見的熱插拔、電子熔絲和保護應用。

新款OptiMOS線性FET系列產品結合先進溝槽式MOSFET的導通電阻(RDS(on)) 與平面型MOSFET的寬廣安全操作區域。

穩固的線性模式運作和高脈衝電流，可降低傳導損耗、加速啟動，並縮短停機時間。OptiMOS線性FET可限制高湧浪電流，預防短路時發生負載損壞。

OptiMOS線性FET目前提供三種電壓等級：100 V、150 V和200 V，皆採用D2PAK 或D2PAK 7pin封裝。上述業界標準封裝具有相容尺寸，方便直接替換。

英飛凌OptiMOS線性FET目前提供三種電壓等級：100 V、150 V 和 200 V，皆採用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封裝。上述業界標準封裝具有相容尺寸，方便直接替換。