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英飛凌推出650V MOSFET 搭載整合式快速回復特性
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2011年02月15日 星期二

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英飛凌近日宣布,目前正推出新一代,具備重要創新的高壓CoolMOS MOSFET產品。全新650V CoolMOS CFD2,是業界首款具備650V漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。其更為出色的軟性換流行為以及更優異的EMI表現,為產品打造絕佳的競爭優勢。CoolMOS CFD 2 650V產品系列提供高速切換超接面MOSFET的所有優點,如更佳的輕負載效率、降低閘端電荷、易於建置,以及卓越的可靠性。英飛凌預期此電晶體在太陽能變頻器、伺服器、LED照明與電信設備領域將有極佳的市場潛力。

英飛凌推出650V MOSFET,搭載整合式快速回復特性等效二極體;
高壓CoolMOS產量跨越35億組,為推動全球能源效率立下標竿
英飛凌推出650V MOSFET,搭載整合式快速回復特性等效二極體;

革命性的CoolMOS系列產品在能源效率領域設豎立了全新標竿。CoolMOS具備高壓MOSFET最先進的技術,顯著地減少了導通與切換損耗,為優異的電源轉換系統提供更高得功率密度和效率。CoolMOS產品的應用,在消費性商品、再生能源、電信業電源供應、連接器和其他領域皆具備最卓越的表現。CoolMOS具備最佳性價比,對於日亦增高的能源需求,是最理想的解決方案。

關鍵字: Infineon(英飛凌
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