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ROHM推出高耐壓MOSFET「F 系列」!
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2009年02月06日 星期五

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ROHM(羅姆電子)全新研發出最高性能的高耐壓功率MOSFET「F 系列」,適用於液晶電視的背光模組Inverter、照明用Inverter﹑馬達驅動器及切換式電源等使用橋式電路的各種應用。此新系列產品將自ROHM 新開發的「F 系列」,讓具備超級接合面結構的MOSFET元件內部局部形成Trap Level,與一般的超級接合面結構產品相比,成功將反向回復時間(trr)由160ns減為70ns,降低達60%。在元件內部形成Trap Level後,雖然trr的速度變快了,不過卻讓超級接合面型結構在形成上遭遇困難。即使如此,ROHM仍成功地研發出能在元件內部局部形成Trap Level的超級接合面MOSFET。

高速trr/高速切換式高耐壓MOSFET「F 系列」
高速trr/高速切換式高耐壓MOSFET「F 系列」

如此一來,即使未安裝快速回復二極體(FRD),也能使用於橋式電路,而且還能夠藉由減少零件的使用量、縮小基板面積或藉由高頻化可使用體積較小的變壓器等,對產品的小型化與低成本化有莫大貢獻。

除了本次所推出的「F 系列」外,未來ROHM仍將運用獨創的尖端製程加工技術,以顧客需求為優先考量,致力於研發電晶體產品。

關鍵字: MOSFET  ROHM 
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