英特尔 （Intel）近日在开发者论坛（IDF）中表示，未来将把90奈米制程技术，纳入硅锗（SiGe）制程中，但是何种硅锗制程，英特尔并未详述。台积电曾于美国表示，将提供0.18微米制程的硅锗代工服务。据了解，Intel以投资德国晶圆代工厂Communicant公司3.25亿美元，台积电则从Conexant获得硅锗制程技术授权，并且推出0.35微米硅锗服务，以生产高效能的通讯芯片。

本 文：英特尔 （Intel）近日在开发者论坛（IDF）中表示，未来将把90奈米制程技术，纳入硅锗（SiGe）制程中，但是何种硅锗制程，英特尔并未详述。台积电曾于美国表示，将提供0.18微米制程的硅锗代工服务。据了解，Intel以投资德国晶圆代工厂Communicant公司3.25亿美元，台积电则从Conexant获得硅锗制程技术授权，并且推出0.35微米硅锗服务，以生产高效能的通讯芯片。

Intel投资的Communicant已斥资13亿美元兴建8吋晶圆厂，预计2003年完工投产，目标市场即为硅锗代工市场，技术制程则有BiCMOS、LDMOS等，估计月产能将有3万片。台积电0.18微米的SiGe代工技术，则是采用BiCMOS制程，工作电压为1.8V～3.3V，预计第四季试产原型芯片，明年第1季认证出货。

台积电对通讯芯片生产，将以RF CMOS制程技术服务，渐渐将技术推至0.13微米以及90奈米制程技术。Conexant也计划成为硅锗晶圆代工厂，尽管如此，据了解台积电为提高硅锗的竞争力，目前正努力争取Conexant的技术授权。