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R&S推出RT-ZISO隔離探針測量系統 用於快速切換信號精確測量 (2024.06.14) R&S新推出了R&S RT-ZISO隔離式探針系統,豐富了尖端示波器產品線。這一新型R&S RT-ZISO系統專為在高共模電壓和電流環境下實現快速切換信號的極高精度測量而設計。與此同時,還發佈了搭配MMCX連接器的R&S RT-ZPMMCX被動探頭,補充了隔離探針系統,在特定測量任務中發揮重要作用 |
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三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器 (2024.06.14) 三菱電機(Mitsubishi Electric)今(14)日宣布,將開始出貨用於Ka 波段衛星通訊的8W 和14W 氮化鎵(GaN)單片微波積體電路(MMIC)功率放大器樣品—7 月 1 日起啟用通訊(SATCOM)地球站 |
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CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07) 無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發氮化鎵(GaN)器件,近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件(EVK) |
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CGD與工研院合作 共同開發氮化鎵電源 (2024.05.31) 無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)與工業技術研究院(ITRI)簽署合作備忘錄,以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。
CGD致力於開發多種節能的氮化鎵(GaN)器件,以實現更環保的電子元件 |
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英飛凌發布高能效AI 資料中心電源供應單元產品路線圖 (2024.05.24) 人工智慧(AI)的發展推升全球資料中心的能源需求,並凸顯伺服器對於高效率及可靠的能源供應的重要性。英飛凌科技(Infineon)宣布在AI系統的能源供應領域開啟新篇章,並揭示針對AI資料中心當前和未來能源需求的特定設計電源供應單元(PSU)路線圖 |
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Innergie全新旗艦機型C10 / C10 Duo為全球體積最小百瓦級充電器 (2024.05.16) 台達消費性電源品牌Innergie推出最新旗艦機種Innergie C10,為全球體積最小的百瓦級USB-C充電器,體積僅87cc。同時也推出C10 Duo雙孔版本,適合移動性商務旅客、數位遊牧民族、家中與辦公場域有高瓦充電需求的3C達人 |
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意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能,目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC/DC轉接器 |
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Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08) Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商,宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成,之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織 |
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聯電推出首款RFSOI 3D IC整合方案 加速5G時代創新 (2024.05.02) 聯華電子今(2)日推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足5G更大的頻寬需求 |
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款整合型氮化鎵器件 (2024.04.25) 全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm與適配器USB PD控制器IC供應商偉詮電子Weltrend Semiconductor)今(25)日推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP組成首個基於 Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列 |
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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18) 因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求,筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」,此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案,邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用,探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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英飛凌榮獲群光電能頒發「氮化鎵策略合作夥伴獎」 (2024.04.15) 群光電能(Chicony Power;簡稱群電)宣布其年度合作夥伴英飛凌科技(Infineon)脫穎而出,榮獲2023年度「氮化鎵策略合作夥伴獎」。英飛凌憑藉其運用於筆電、電競、伺服器與儲存設備等資通訊(ICT)應用的氮化鎵(GaN)電源供應器解決方案 |
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Lam Research突破沉積技術 實現 5G領域下世代MEMS應用 (2024.04.09) 為了協助實現下世代 MEMS 麥克風和射頻(RF)濾波器的製造,科林研發(Lam Research)推出世界上第一個以生產為導向的脈衝雷射沉積(Pulsed Laser Deposition;PLD)機台。科林研發的 Pulsus PLD 系統提供具有最高含量的氮化鋁鈧(AlScN)薄膜 |
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明緯推出NGE100(U)系列:100W環球通用4埠USB氮化鎵快速充電器 (2024.03.28) 隨著大眾節能減碳的意識日漸提升,過去的電子裝置及充電器的充電介面規格不一,而衍生大量的電子廢棄物,在歐盟於2022年11月23日率先正式立法公告,自2024年12月28日起將強制要求手機、平板、相機、遊戲機、耳機等消費性手持式電子裝置充電介面須全面統一採用USB-C(Type C) |
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台英研發合作吸引群創及科磊等大廠加入 聚焦化合物半導體及下世代通訊 (2024.03.21) 經濟部日前攜手英國科學創新及技術部(DSIT)共同宣布雙方未來2年將投入新台幣6.5億元,推動雙邊產業科技研發。其中台方參與企業,包括群創光電、?通科技、永源科技等廠商;英方參與單位則有半導體大廠科磊子公司SPTS、半導體材料商Smartkem |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13) 英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06) 德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
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ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27) 半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高產品性能和可靠性的同時,更實現了小型化 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23) 本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15) 因應現今數位減碳及人工智慧(AI)應用需求不斷增加,依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議,共通過4項計畫。
其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶 |