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SEMI：2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08)
根據國際半導體產業協會（SEMI）最新發布的「全球晶圓廠預測報告」，預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目，其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠，大部分預計將於 2026年至2027年投產 |
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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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工研院探討生成式AI驅動半導體產業 矽光子與先進封裝成關鍵 (2024.06.21)
在工研院連續舉辦兩天的「生成式AI驅動科技產業創新與機遇系列研討會」第二天（20日）場次，同樣由產學專家深度剖析生成式AI帶來的半導體產業機會，共涵蓋IC設計、製造到封裝各階段，協助業者掌握晶片設計、製造與封裝的最新進展，並指出矽光子與先進封裝將是未來應用發展關鍵 |
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台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局 (2024.06.13)
就人工智慧（AI）裝置的硬體來看，關鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、記憶體、PCB板、以及散熱元件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角，更是使用者體驗能否優化的重要輔助 |
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AI PC華麗登場 引領算力為王的時代 (2024.05.28)
AI PC的普及需要軟硬體共同發展，在處理器、記憶體和作業系統等技術的進步，AI PC應用將更加豐富，並成為未來PC產業的重要趨勢。 |
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AI世代的記憶體 (2024.05.28)
AI運算是專門處理AI應用的一個運算技術，是有很具體要解決的一個目標，而其對象就是要處理深度學習這個演算法，而深度學習跟神經網路有密切的連結，因為它要做的事情，就是資料的辨識 |
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SEMI：2024年半導體產能將創3,000萬片新高 (2024.01.04)
SEMI國際半導體產業協會今（4）日公佈最新一季全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast, WFF），全球半導體產能繼2023年以5.5%成長至每月2,960萬片晶圓（wpm, wafers per month）之後，預計2024年將增速成長6.4%，突破3,000萬片大關 |
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展現工控方案實力 宇瞻將2023 SPS國際工業自動化展登場 (2023.11.07)
Apacer宇瞻科技，將於11月14日至16日首次亮相SPS國際工業自動化展（SPS–Smart Production Solutions）。展期間將秀其高效能之工業用SSD、DRAM記憶體模組與創新技術，展示如何全面協助工業自動化產業提升資料安全性與完整性及電源穩定性（Hall 6，350號展位） |
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Solidigm推出為寫入密集型工作負載而設計的SLC SSD (2023.09.27)
Solidigm宣布為資料中心市場推出該公司首款超高速single-level cell（SLC）固態硬碟（SSD）－Solidigm D7-P5810，這是一款採用Solidigm成熟144層SLC 3D NAND的PCIe 4.0儲存裝置。
作為Solidigm高效能D7系列產品的新成員，D7-P5810專門為高耐用度和極端寫入密集型工作負載而設計 |
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堆疊層數再升級 儲存容量免焦慮 (2023.08.28)
本次要介紹的產品，是來自SK海力士（SK Hynix）最新的一項記憶體產品，它就是目前全球最高層樹的「321層NAND快閃記憶體」。 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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中華精測正式進軍面板驅動IC測試市場 (2023.04.27)
現在面板驅動IC業者不必再為了提升傳統探針卡測試效率而加購備卡。中華精測科技今（27）日召開2023年第一季營運說明會，中華精測科技總經理黃水可在會議中宣布，自4月起正式進軍面板驅動IC測試市場，新推出的DDI專用MEMS探針卡，將搭配「一卡抵雙卡」服務、提供單日完成保固維修 |
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鎧俠和Western Digital宣布最新3D快閃記憶體 達218層具四平面 (2023.03.31)
鎧俠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快閃記憶體技術資訊，展示持續創新。該 3D 快閃記憶體採用先進的縮放和晶圓鍵合技術，提供卓越的容量、性能和可靠性，適合滿足廣泛市場領域呈指數級增長的資料需求 |
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應材推出電子束量測系統 提升High-NA EUV製程的控制與良率 (2023.03.08)
由於包含極紫外光（EUV）和新興高數值孔徑（High-NA）的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束（eBeam）量測系統，則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術所定義半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） |
