 |
打造6G射頻設計利器 imec推出熱傳模擬架構 (2022.12.06)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）利用一套蒙地卡羅（Monte Carlo）模型架構，首次展示如何透過微觀尺度的熱載子分佈來進行先進射頻元件的3D熱傳模擬，用於5G與6G無線傳輸應用 |
 |
超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
|
用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用，愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。 |
|
5G推升需求 2020年GaAs射頻元件成長動能可期 (2019.07.08)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出，由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料，加上隨著5G布建逐步展開，射頻元件使用量較4G時代倍增，預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年起進入新一波成長期 |
|
TrendForce：3D感測技術因運算能力增強而崛起 (2018.03.27)
全球市場研究機構TrendForce與旗下拓墣產業研究院3/27於台大醫院國際會議中心101室，舉辦「3D 感測技術崛起：消費性電子的應用與商機」研討會。本次研討會邀請AIXTRON、高通、英特爾、德州儀器、微軟等大廠探討3D 感測技術發展 |
|
是德科技與三安集成策略合作推出HBT、pHEMT製程設計套件 (2016.05.03)
是德科技軟體和服務可協助三安集成加速完成HBT和pHEMT製程PDK的開發製作可靠、高功率的先進pHEMT及HBT元件，縮短產品上市時間。
是德科技（Keysight）日前宣佈與中國廈門三安集成簽署合作備忘錄（MoU），雙方將以是德科技先進設計系統（ADS）軟體為基礎，共同合作開發適用於三安集成的HBT和pHEMT製程的先進製程設計套件（PDK） |
|
意法半導體先進半導體技術為未來行動網路基礎設施奠定重要根基 (2015.08.04)
意法半導體基於BiCMOS的射頻收發器可讓行動網路回程線路數據速率高達10Gbps，同時提升毫米波段的頻譜效率
意法半導體（STMicroelectronics，ST）的BiCMOS55 SiGe先進技術獲歐洲E3NETWORK研發專案採用，用於開發適合下一代行動網路的高效率、高容量數據傳輸系統 |
 |
Microchip推出新型5GHz功率放大器模組 (2015.03.23)
Microchip 公司（美國微芯科技）推出採用IEEE 802.11ac 超高資料速率Wi-Fi標準的新型SST11CP22 5 GHz 功率放大器模組 （PAM）。新型PAM在1.8%動態EVM（誤差向量振幅）、MCS9 80 MHz頻寬情況下的線性輸出功率為19 dBm |
|
瑞薩推出SiGe:C異質接面電晶體 提供低雜訊效能 (2011.09.28)
瑞薩電子（RENESAS）日前宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體NESG7030M04，可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺：碳（SiGe:C）材料並達到低雜訊效能 |
 |
低頻噪聲功率譜密度的SiGe異質結雙極晶體管表徵-低頻噪聲功率譜密度的SiGe異質結雙極晶體管表徵 (2011.04.06)
低頻噪聲功率譜密度的SiGe異質結雙極晶體管表徵 |
|
ESD保護的SiGe HBT射頻功率放大器-ESD保護的SiGe HBT射頻功率放大器 (2011.03.11)
ESD保護的SiGe HBT射頻功率放大器 |
|
Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 |
|
Avago推出全新功率放大器模組（PAM） (2010.10.25)
Avago公司近日宣布，推出全新功率放大器模組（PAM），可延長GSM/EDGE通訊手機的通話時間。全新ACPM-7868 PAM與Qualcomm最新一代晶片組完全相容，支援線性四頻帶GSM/EDGE運作，為全球最廣泛採用的行動通訊標準進一步提升功率效能 |
|
華虹NEC採用安捷倫器件模擬軟體成功開發RF平台 (2010.06.30)
安捷倫科技（Agilent）於日前宣佈，上海華虹NEC電子公司（Hua Hong NEC Electronics）已成功運用安捷倫的積體電路特性描述與分析程式 (IC-CAP) 軟體，開發出0.35和0.18微米射頻半導體元件適用的射頻元件模擬平台 |
|
Avago發表多模3x3功率放大器模組產品 (2010.05.12)
Avago（安華）日前宣佈推出10款新精簡型UMTS功率放大器模組（PAM, Power Amplifier Module）產品，
可以帶來更長的通話時間與電池使用壽命，並支援UMTS Band 1、2、4、5與8。
「在新推出的ACPM-500x與ACPM-520x系列中我們整合了一級客戶對於整合定向耦合器、多重模式功率控制、低電流以及高附加功率效率(PAE, Power Added Efficiency)的需求 |
|
ADI推出新款中頻增益區塊放大器 (2010.01.25)
美商亞德諾（Analog Devices，ADI）上週五（1/22）宣佈，發表兩款新的中頻（IF）增益區塊放大器。 ADL5535和ADL5536增益區塊放大器具有由內部匹配的中頻增益區塊，該區塊結合最高等級的線性度和雜訊度效能，因此可提供最高的動態範圍 |
|
安捷倫推出適用高頻寬示波器之新一代晶片組 (2009.12.26)
安捷倫科技（Agilent）於週二（12/22）宣佈，新一代高頻寬示波器因成功啟用採磷化銦（InP）技術的前端晶片組，而提供了突破性的功能。新款晶片組使安捷倫得以在2010上半年，推出類比頻寬高於16 GHz的示波器 |
|
三星採用ANADIGICS的WCDMA功率放大器系列 (2009.07.27)
ANADIGICS, Inc宣佈，三星已選擇ANADIGICS的兩款WCDMA功率放大器（PAs）用於其新型Omnia HD和Memoir 3G手機。ANADIGICS的AWT6224 3G功率放大器用於世界上第一款可提供高解晰影像錄製功能的手機-三星新型全觸控式螢幕Omnia HD手機中，而AWT6282被選中用於驅動800萬畫素的Memoir 3G手機 |
|
Avago新前端模組產品針對行動網路手機市場 (2009.05.07)
安華高科技（Avago Technologies）宣佈，推出了兩款整合功率放大器（PA,Power Amplifier）、雙工器、帶通濾波器與耦合器，可以改善效率並延長通話時間的前端模組（FEM,Front End Module）產品 |
|
實現無線存取功能之半導體元件 (2009.02.05)
不論是可攜式設備還是WLAN卡應用中，多媒體存取的發展趨勢不斷成長，這要求訊號鏈路能具有以下的特點：佔位面積小、功耗低和提供多模多頻帶性能。而能滿足上述所有要求的解決方案無疑就是矽半導體製程，比如矽鍺（SiGe） |
