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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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意法半導體碳化矽技術為致瞻提升電動汽車車載空調控制器效能 (2024.01.30)
意法半導體（STMicroelectronics；ST） 宣布與聚焦於碳化矽（SiC）半導體功率模組和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為其電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽（SiC）MOSFET技術 |
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英飛凌與英飛源合作 拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作 |
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安森美和麥格納簽署策略協議 投資碳化矽生產 (2023.07.30)
安森美（onsemi）和麥格納（Magna）達成一項長期供貨協議，麥格納將在其電驅動（eDrive）系統中，整合安森美的EliteSiC智能電源方案。麥格納是一家行動科技公司，也是全球最大的汽車零組件供應商之一 |
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Microchip推出碳化矽E-Fuse示範器 提高設備保護可靠性 (2023.05.10)
電池電動汽車（BEV）和混合動力汽車（HEV）的高壓電氣子系統需要具備一種保護機制，在超載情況下保護高壓配電和負載。
為了向BEV和HEV設計人員提供更快、更可靠的高壓電路保護解決方案，Microchip Technology Inc.今日宣佈推出碳化矽（SiC）電子保險絲示範器（E-Fuse Demonstrator Board） |
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英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本 |
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2022.11月(第372期)「硬」是安全 (2022.11.01)
自2020年開始，
物聯網裝置的數量首度超過非物聯網設備，
成為全球最主要連上網路的裝置。
而這意味著，現在上網的機器數量，
已遠遠超過人類。
換句話說，
我們的物聯網設備所可能面臨的資安風險 |
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美超微攜手英飛凌 以高效率功率級產品降低資料中心耗電 (2022.10.27)
為了滿足資料中心的低碳化，雲端、AI/ML、儲存、5G/邊緣領域的需求，美超微電腦與英飛凌科技攜手合作，選用了英飛凌的高效率功率級半導體產品。
美超微伺服器技術副總裁Manhtien Phan表示：「在開發綠色運算平台時，我們會選擇和我們一樣著重於利用能效降低耗電量的廠商 |
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英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。
英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠 |
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英飛凌擴展CoolSiC系列高電壓產品 符合1500 VDC應用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量 |
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NIO選用安森美VE-Trac Direct SiC主驅功率模組 達到最高能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），昨日宣佈全球汽車創新企業蔚來（NIO Inc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模組。
這以碳化矽（SiC）為基礎的功率模組使電動車的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快 |
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英飛凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封裝提高靈活性 (2022.03.15)
英飛凌科技股份有限公司，推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOS 5 25V和30V功率MOSFET產品系列，旨在為分立式功率MOSFET技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優勢 |
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ST第三代碳化矽技術問世 瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標 |
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英飛凌推出全新MOTIX BTN99xx智慧半橋驅動整合晶片 (2022.03.02)
英飛凌科技股份有限公司再度推出，全新 MOTIX BTN99xx（NovalithIC+）系列智慧半橋驅動整合晶片。該晶片在單個封裝內整合P通道高側MOSFET和N通道低側MOSFET，以及多個智慧驅動IC |
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英飛凌OptiMOS 6 100 V採用全新功率MOSFET技術 (2021.12.03)
因應電信與太陽能等高切換頻率最佳化應用，當前切換式電源供應(SMPS)及電池供電的應用顯著趨勢是提高效率和可靠性。順應這一發展趨勢，英飛凌科技推出採用全新功率MOSFET技術的OptiMOS 6 100 V |
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三星首款MOSFET冰箱變頻器 採用英飛凌600V功率產品 (2021.05.27)
英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱 |
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英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式，導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
