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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池 (2024.11.07)
在電機驅動和開關模式電源（SMPS）等電池供電應用中，電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能，往往會採用MOSFET等高側斷開開關，以防止負載短路影響電池 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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STM32WBA系列推動物聯網發展 多協定無線連接成效率關鍵 (2024.05.27)
ST新推出的STM32WBA系列無線MCU備受業界矚目。這款創新產品支援多種無線協議，高度整合並強調低功耗，有望為物聯網應用帶來全新的發展動能。 |
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數位電源控制好幫手：PowerSmart™ Development Suite 使開發過程更Smart (2024.02.24)
於當今日新月異的時代，數位化智能產品應用頻繁出現在人們的生活週遭，其中智能與高效的數位電源更是重要的區塊之一。然而，數位電源的開發需具備許多關鍵技術的開發能力 |
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Bourns全新大功率電流檢測電阻為電力電子設計節省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列，可在電力電子設計中節省能源，同時最大化感測性能。該系列具有低溫度係數（TCR），可在廣泛的溫度範圍內提供操作精度和長期穩定性 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局 |
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英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需 |
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ST：以全面解決方案 為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇，更進一步在不同城市，為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸，與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹，親身體驗前沿技術和激發智慧的應用 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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新系列STM32H5微控制器 提升下一代智慧應用性能和安全性 (2023.03.17)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布推出STM32H5系列高性能微控制器（MCU）。新系列產品導入了STM32Trust TEE管理器安全技術，為智慧物聯網裝置提供先進的安全功能。
新STM32H5 MCU系列搭載Arm的Cortex-M33嵌入式內核心 |
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2022年MCU年度新品喜好度總票選 (2023.02.24)
MCU市場發展，客戶的需求主要都來自於供需的考量。從8位元到32位元市場，廠商持續推出新產品的態勢不變。在MCU市場歐美品牌依然是使用者最為主流的選擇。 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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ST新推出PFC升壓轉換器 有效簡化應用設計與提升設計靈活度 (2022.10.14)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之L4985A／B和L4986A／B功率因數校正（power-factor correction，簡稱PFC）升壓轉換器整合800V啟動電路以及意法獨有的輔助工具，有效簡化應用設計、提升設計靈活度 |
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無橋圖騰柱功率因數校正控制器 實現AC-DC 功率轉換效益 (2022.06.25)
隨著電源開關頻率不斷提高的發展趨勢，開關器件中的動態損耗會產生更大的影響。本文舉例說明如何使用無橋圖騰柱功率因數校正控制器，進而實現出色的 AC-DC 功率轉換效率 |
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ST發表全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能 (2022.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器（Switched-Mode Power Supply，SMPS） |
