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Transphorm與偉詮電子合作推出新款整合型氮化鎵器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm與適配器USB PD控制器IC供應商偉詮電子Weltrend Semiconductor)今(25)日推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP組成首個基於 Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件,以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度
Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作,使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器,針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件
Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準,可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管(FET),導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案
Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵(GaN)功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用,適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦,強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張
飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中採用Transphorm公司的氮化鎵(GaN)技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術,這是一種氮化鎵場效應管(FET)平台,具有系統設計簡單,元件數量少,高性能,高可靠等優點
Transphorm推出參考設計 加速氮化鎵電源配接器開發 (2022.06.27)
Transphorm推出七款參考設計,旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)


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